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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPB50R140CPATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 550 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 550V |
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Precio unitario: 1,833€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 701 |
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IPB50R250CPATMA1 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,368€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB530N15N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 150 V, 0.044 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,831€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 989 |
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IPB600N25N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 250 V, 0.051 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: MOSFET, IPB600N25N3GATMA1, N-Canal-Canal, 25 A, 250 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 1,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1662 |
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IPB60R040C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 9,564€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 546 |
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IPB60R060C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,240€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R060P7 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Otros nombres: TMOS1975.
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Precio unitario: 3,570€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R060P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 48 A, 600 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 48A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,765€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 406 |
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IPB60R080P7 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 2,842€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R080P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 37 A, 600 V, 0.069 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 37A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,289€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 652 |
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IPB60R099C6 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37,9A; 278W; PG-TO263-3
Otros nombres: TMOSP9456.
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Precio unitario: 2,881€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R099C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 37.9 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 37.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IPB60R099C6ATMA1, N-Canal-Canal, 38 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) CoolMOS C6 Simple Si.
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Precio unitario: 2,515€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 246 |
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IPB60R099C7 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 2,881€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPB60R099CPATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 31A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, IPB60R099CPATMA1, N-Canal-Canal, 31 A, 650 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) CoolMOS CP Simple Si.
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Precio unitario: 5,801€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1879 |
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IPB60R099P7 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; D2PAK
Otros nombres: TMOS2348.
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Precio unitario: 2,444€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |