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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPD068N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 90 A, 100 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 90A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IPD068N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 90 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD068N10N3 G Simple.
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Precio unitario: 0,846€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2342 |
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IPD068P03L3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -70A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,352€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 260 |
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IPD075N03LGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IPD075N03LGATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,238€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1485 |
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IPD079N06L3GBTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPD079N06L3GBTMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,390€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3739 |
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IPD082N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 100 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3818 |
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IPD088N06N3GBTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPD088N06N3GBTMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,342€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2661 |
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IPD090N03L G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: STDMOS1107.
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Precio unitario: 0,202€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 924 |
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IPD090N03LGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 397 |
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IPD096N08N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 73 A, 80 V, 0.0079 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 73A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,367€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4391 |
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IPD100N04S402ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 0.0017 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, IPD100N04S402ATMA1, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS T2 Simple Si.
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Precio unitario: 0,687€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3460 |
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IPD110N12N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 75 A, 120 V, 0.0092 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 75A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 120V
Otros nombres: MOSFET, IPD110N12N3GATMA1, N-Canal-Canal, 75 A, 120 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,708€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1117 |
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IPD122N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 59 A, 100 V, 0.0105 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 59A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,414€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9500 |
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IPD12CN10NGATMA1 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,655€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD135N03LGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 30 V, 0.0113 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,208€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1835 |
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IPD135N08N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 45 A, 80 V, 0.0114 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 45A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,320€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2465 |