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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPD50N04S410ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 40 V, 0.0085 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, IPD50N04S410ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 40 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS T2 Simple Si.
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Precio unitario: 0,217€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1770 |
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IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 40 V, 0.0062 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, IPD50N04S4L08ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 40 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS T2 Simple Si.
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Precio unitario: 0,231€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1014 |
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IPD50N06S409ATMA2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,792€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6540 |
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IPD50N06S4L08ATMA2 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A |
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Precio unitario: 0,456€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD50N06S4L12 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,378€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,247€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2501 |
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IPD50N10S3L16ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 100 V, 0.0125 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, IPD50N10S3L16ATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD50N10S3L-16 Simple.
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Precio unitario: 0,469€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4798 |
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IPD50P03P4L11ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -30 V, 0.0083 ohm, -10 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, IPD50P03P4L11ATMA1, P-Canal, 50 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS P Simple Si.
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Precio unitario: 0,455€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1996 |
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IPD50P04P413ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -40 V, 0.0092 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, IPD50P04P413ATMA1, P-Canal, 50 A, 40 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS P Simple Si.
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Precio unitario: 0,312€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2446 |
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IPD50P04P4L11ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -50 A, -40 V, 0.0082 ohm, -10 V, -1.7 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, IPD50P04P4L11ATMA1, P-Canal, 50 A, 40 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS P Simple Si.
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Precio unitario: 0,315€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19442 |
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IPD50P04P4L11ATMA2 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -40V; -40A; 58W |
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Precio unitario: 0,509€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 512 |
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IPD50R1K4CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,262€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6408 |
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IPD50R280CEATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 550 V, 0.25 ohm, 13 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 550V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 92W; PG-TO252-3.
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Precio unitario: 0,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD50R280CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18.1 A, 500 V, 0.25 ohm, 13 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 0,563€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3073 |
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IPD50R2K0CEBTMA1 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,194€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |