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| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPD80R4K5P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, IPD80R4K5P7ATMA1, N-Canal-Canal, 1,5 A, 800 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) CoolMOS P7.
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Precio unitario: 0,251€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2009 |
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IPD80R600P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 800 V, 0.51 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,591€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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IPD80R750P7 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,582€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD80R750P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7 A, 800 V, 0.64 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,482€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 62 |
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IPD80R900P7 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,9A; 45W; PG-TO252-3
Otros nombres: TMOS1853.
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Precio unitario: 0,534€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD80R900P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 800 V, 0.77 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 0,458€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3017 |
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IPD85P04P407ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -85 A, -40 V, 0.0073 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -85A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V |
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Precio unitario: 0,422€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7709 |
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IPD85P04P4L06ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -85 A, -40 V, 0.0053 ohm, -10 V, -1.7 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -85A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V |
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Precio unitario: 0,615€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3018 |
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IPD90N03S4L02 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,766€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD90N03S4L02ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 90 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 90A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IPD90N03S4L02ATMA1, N-Canal-Canal, 90 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS T2 Simple Si.
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Precio unitario: 0,638€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 260 |
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IPD90N03S4L03ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, AEC-Q101, Canal N, 90 A, 30 V, 0.0025 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 90A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IPD90N03S4L03ATMA1, N-Canal-Canal, 90 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS T2 Simple Si.
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Precio unitario: 0,374€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1797 |
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IPD90N04S304 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,631€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD90N04S402ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 90 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 90A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4987 |
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IPD90N04S403ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 90 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 90A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,382€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2386 |
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IPD90N04S404 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A |
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Precio unitario: 0,451€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 1430 |