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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPD95R2K0P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4 A, 950 V, 1.71 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 950V |
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Precio unitario: 0,352€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 235 |
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IPD95R450P7 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8,6A; 104W; DPAK
Otros nombres: TMOS2471.
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Precio unitario: 1,019€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD95R450P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 950 V, 0.38 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 950V |
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Precio unitario: 1,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1503 |
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IPD95R750P7 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5,5A; 73W; DPAK
Otros nombres: TMOS2394.
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Precio unitario: 0,747€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD95R750P7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 950 V, 0.64 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 950V |
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Precio unitario: 0,603€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19 |
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IPDD60R050G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.043 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 4,481€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 104 |
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IPDD60R080G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 600 V, 0.069 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,532€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 937 |
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IPDD60R102G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 23 A, 600 V, 0.088 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 23A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 475 |
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IPDD60R125G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.108 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,649€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1702 |
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IPDD60R150G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 600 V, 0.129 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,358€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 479 |
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IPDD60R190G7XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 600 V, 0.164 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,970€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 980 |
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IPG16N10S461ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 100 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,266€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3071 |
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IPG20N04S408 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W |
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Precio unitario: 0,669€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPG20N04S408AATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,599€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4206 |
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IPG20N04S408ATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,608€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1644 |