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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
MAT01GHZ
MAT01GHZ

Fabricado por: Analog Devices

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 45 V, 1.8 W, 25 mA, 430 hFE, TO-78

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Disipación de Potencia Pd: 1.8W

Otros nombres: Transistor, MAT01GHZ, NPN 25 mA 45 V Dual TO-78, 6 pines, 450 MHz, Aislado, Transistor, MAT01GHZ, NPN 25 mA 45 V HFE:250 Dual TO-78, 6 pines, 450 MHz,.

Precio unitario: 9,089€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
MAT12AHZ
MAT12AHZ

Fabricado por: Analog Devices

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 20 mA, 300 hFE, TO-78

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Corriente de Colector DC: 20mA

Otros nombres: Transistor, MAT12AHZ, NPN 20 mA 10 V Dual TO-78, 6 pines, 200 MHz, Aislado, Transistor, MAT12AHZ, NPN 20 mA 10 V HFE:200 Dual TO-78, 6 pines, 200 MHz,.

Precio unitario: 19,487€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
MAT14ARZ
MAT14ARZ

Fabricado por: Analog Devices

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 30 mA, 300 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Corriente de Colector DC: 30mA

Otros nombres: Transistor, MAT14ARZ, NPN 30 mA 40 V HFE:200 Quad SOIC, 14 pines, 1 kHz,, Transistor, MAT14ARZ, NPN 30 mA 40 V Quad SOIC, 14 pines, 1 kHz, Aislado.

Precio unitario: 6,373€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
MBT2222ADW1T1G
MBT2222ADW1T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Canal N, 40 V, 150 mW, 600 mA, 35 hFE, SC-70

Polaridad de Transistor: Canal N Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Otros nombres: Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, 40 V, 150 mW, 600 mA, 35 hFE, SOT-363, Transistor, MBT2222ADW1T1G, NPN 600 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,025€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 13855
MBT3904DW1T1G
MBT3904DW1T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Otros nombres: Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN Doble, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE.

Precio unitario: 0,033€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 38889
MBT3904DW1T1H
MBT3904DW1T1H

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 40 V, 150 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,027€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
MBT3904DW1T3G
MBT3904DW1T3G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

TRANSISTOR ARRAY, DUAL NPN, 40V, SOT-363

Polaridad de Transistor: Dual NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Otros nombres: Transistor, MBT3904DW1T3G, NPN 200 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,049€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 17430
MBT3946DW1T1G
MBT3946DW1T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Otros nombres: Transistor, MBT3946DW1T1G, NPN + PNP 200 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado, Transistor: NPN / PNP; bipolar; par complementario; 40V; 0,2A.

Precio unitario: 0,024€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 17488
MBT3946DW1T2G
MBT3946DW1T2G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 100 hFE, SC-88

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Otros nombres: Transistor: NPN / PNP; bipolar; par complementario; 40V; 200mA.

Precio unitario: 0,024€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6600
MBT6429DW1T1G
MBT6429DW1T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 45 V, 150 mW, 200 mA, 500 hFE, SC-88

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,024€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 19709
MC1413BDG
MC1413BDG

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 2 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 2V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: Par Darlington, MC1413BDG, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común, Trans Darlington NPN 50V 0.5A SOIC16.

Precio unitario: 0,156€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 876
MC1413BDR2G
MC1413BDR2G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 1.1 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.1V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: Darlington Array NPN 50V 500mA SOIC16, IC: driver; darlington,matriz de transistores; SO16; 0,5A; 50V, Par Darlington, MC1413BDR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común.

Precio unitario: 0,154€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1995
MC1413BPG
MC1413BPG

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

Precio unitario: 0,163€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
MC1413DG
MC1413DG

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: Driver; darlington,matriz de transistores; 0,5A; 50V; Canales: 7.

Precio unitario: 0,146€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 632
MC1413DR2G
MC1413DR2G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 1.1 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.1V Corriente de Colector DC: 500mA

Precio unitario: 0,145€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1790