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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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MMBT5551LT1G |
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Fabricado por:
Transistor: NPN; bipolar; 160V; 600mA; 225/300mW; SOT23
Otros nombres: NPN transistor,MMBT5551 0.6A Ic 5Vce, Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 30 hFE, Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE, Transistor, MMBT5551LT1G, NPN 600 mA 160 V SOT-23, 3 pines, Simple.
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Precio unitario: 0,018€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 1225 |
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MMBT5551LT3G |
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Fabricado por:
Transistor: NPN; bipolar; 160V; 600mA; 225/300mW; SOT23
Otros nombres: Transistor, MMBT5551LT3G, NPN 600 mA 160 V SOT-23, 3 pines, Simple.
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Precio unitario: 0,016€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MMBT5551M3T5G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 160 V, 265 mW, 60 mA, 30 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 265mW |
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Precio unitario: 0,026€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10548 |
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MMBT5771 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -15 V, 225 mW, -200 mA, 20 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -15V Disipación de Potencia Pd: 225mW |
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Precio unitario: 0,709€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1390 |
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MMBT589LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Baja Tensión Colector-Emisor (VCE) de Saturación, PNP, -30 V Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -30V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, AEC-Q101, PNP, -30 V, 100 MHz, 310 mW, -1 A, 40 hFE, Transistor digital, MMBT589LT1G, PNP -30 V dc SOT-23, 3 pines, Simple, Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 310/710mW; SOT23.
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Precio unitario: 0,095€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MMBT5962 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 350 mW, 100 mA, 600 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Disipación de Potencia Pd: 350mW
Otros nombres: Transistor, MMBT5962, NPN 100 mA 45 V SOT-23, 3 pines, Simple.
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Precio unitario: 0,036€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 24480 |
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MMBT6427 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Darlington, NPN, 40 V, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 350mW |
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Precio unitario: 0,024€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 234 |
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MMBT6427LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Darlington, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 200 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 300mW
Otros nombres: Par Darlington, MMBT6427LT1G, NPN 500 mA, 40 V, HFE:10000, SOT-23, 3 pines Simple, Transistor de Unión Bipolar Único, Darlington, NPN, 40 V, 225 mW, 500 mA, 200 hFE, Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0,5A; 225mW; SOT23.
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Precio unitario: 0,023€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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MMBT6428 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 50 V, 700 MHz, 350 mW, 500 mA, 250 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Frecuencia de Transición ft: 700MHz |
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Precio unitario: 0,021€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MMBT6428LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 50 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 250 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Frecuencia de Transición ft: 700MHz
Otros nombres: Transistor, MMBT6428LT1G, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple, Transistor: NPN; bipolar; RF; 50V; 200mA; 225/300mW; SOT23.
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Precio unitario: 0,023€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8830 |
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MMBT6429LT1G |
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Fabricado por:
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 200mA; 225/300mW; SOT23
Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE, Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE, Transistor, MMBT6429LT1G, NPN 200 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,020€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MMBT6517LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 350 V, 200 MHz, 225 mW, 100 mA, 15 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 350V Frecuencia de Transición ft: 200MHz |
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Precio unitario: 0,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MMBT6520LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, PNP, -350 V, 200 MHz, 300 mW, 500 mA, 40 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -350V Frecuencia de Transición ft: 200MHz
Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, AEC-Q101, PNP, -350 V, 200 MHz, 300 mW, 500 mA, 40 hFE, Transistor, MMBT6520LT1G, PNP 500 mA 350 V SOT-23, 3 pines, 20 MHz, Simple, Transistor: PNP; bipolar; 350V; 500mA; 225/300mW; SOT23.
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Precio unitario: 0,040€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MMBT7002DW-DIO |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,2W |
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Precio unitario: 0,027€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MMBT7002K |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,3A; 0,35W; SOT23
Otros nombres: TMOS6368.
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Precio unitario: 0,018€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 12260 |