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Mostrando 21776 referencias.

SKU	Imagen	Nombre de producto	Datasheet	Entrega y precio
MRFE6VP6300HR3		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 130 V, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780S Tensión Drenador-Fuente (Vds): 130V Disipación de Potencia Pd: 1.05kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz		Precio unitario: 74,137€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 234
MRFE6VP6300HR5		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 130VDC Disipación de Potencia Pd: 1.05kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz		Precio unitario: 75,321€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 129
MRFE6VP8600HR5		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 130 V, 1.052 kW, 860 MHz, 470 MHz, NI-1230 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 130V Disipación de Potencia Pd: 1.052kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 860MHz		Precio unitario: 206,610€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50
MRFE6VS25GNR1		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 133VDC Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 2000MHz Otros nombres: Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V / TR REEL 13.		Precio unitario: 19,497€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 241
MRFE6VS25LR5		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-360 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 133VDC Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 2000MHz		Precio unitario: 38,073€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14
MRFE6VS25NR1		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 133VDC Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 2000MHz		Precio unitario: 18,217€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 79
MRFX035HR5		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 179 V, 154 W, 1.8 MHz, 512 MHz, NI-360H Tensión Drenador-Fuente (Vds): 179V Disipación de Potencia Pd: 154W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz		Precio unitario: 32,699€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50
MRFX1K80GNR5		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G Tensión Drenador-Fuente (Vds): 179V Disipación de Potencia Pd: 3.333kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz		Precio unitario: 162,960€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50
MRFX1K80HR5		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 193 V, 2.247 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-1230H-4S Tensión Drenador-Fuente (Vds): 193V Disipación de Potencia Pd: 2.247kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz		Precio unitario: 284,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 46
MRFX1K80NR5		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 179V Disipación de Potencia Pd: 3.333kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz		Precio unitario: 161,990€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 42
MRFX600GSR5		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 179 V, 1.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-780GS Tensión Drenador-Fuente (Vds): 179V Disipación de Potencia Pd: 1.333kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz		Precio unitario: 99,840€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50
MRFX600HR5		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 179 V, 1.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-780H Tensión Drenador-Fuente (Vds): 179V Disipación de Potencia Pd: 1.333kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz		Precio unitario: 101,850€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50
MRFX600HSR5		Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 179 V, 1.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, NI-780S Tensión Drenador-Fuente (Vds): 179V Disipación de Potencia Pd: 1.333kW Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.8MHz		Precio unitario: 99,910€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50
MSA1162GT1G		Fabricado por: `On Semiconductor` `Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)` Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -50 V, 80 MHz, 200 mW, -100 mA, 200 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Frecuencia de Transición ft: 80MHz		Precio unitario: 0,016€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12668
MSB92ASWT1G		Fabricado por: `On Semiconductor` `Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)` Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 300 V, 50 MHz, 150 mW, 500 mA, 120 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V Frecuencia de Transición ft: 50MHz Otros nombres: Transistor digital, MSB92ASWT1G, PNP -300 V dc SC-70, 3 pines, Simple.		Precio unitario: 0,024€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16320