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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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MUN5330DW1T1G |
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Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, Complemento NPN y PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 1 kohm Polaridad de Transistor Digital: Complemento NPN y PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 100mA
Otros nombres: Transistor, MUN5330DW1T1G, NPN + PNP 100 mA 50 V HFE:3 Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 10 kHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,022€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8858 |
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MUN5331DW1T1G |
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Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, Complemento NPN y PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm Polaridad de Transistor Digital: Complemento NPN y PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 100mA |
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Precio unitario: 0,024€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MUN5333DW1T1G |
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Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, Complemento NPN y PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm Polaridad de Transistor Digital: Complemento NPN y PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 100mA
Otros nombres: Transistor, MUN5333DW1T1G, NPN + PNP 100 (Continuous) mA 50 V Dual SOT-363, 6 pines.
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Precio unitario: 0,027€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11580 |
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MUN5334DW1T1G |
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Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, Complemento NPN y PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm Polaridad de Transistor Digital: Complemento NPN y PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 100mA |
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Precio unitario: 0,034€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18000 |
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MUN5335DW1T1G |
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Fabricado por:
Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,par complementario; 50V; 0,1A
Otros nombres: Transistor, MUN5335DW1T1G, NPN + PNP 100 (Continuous) mA 50 V Dual SOT-363, 6 pines.
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Precio unitario: 0,022€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MUN5335DW1T2G |
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Fabricado por:
Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, Complemento NPN y PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm Polaridad de Transistor Digital: Complemento NPN y PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente Continua de Colector Ic: 100mA |
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Precio unitario: 0,027€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4324 |
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MVGSF1N02LT1G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 750mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2835 |
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MVGSF1N03LT1G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.1 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, MVGSF1N03LT1G, N-Canal-Canal, 2,1 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,222€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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MW6S004NT1 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 68 VDC, 1 MHz, 2000 MHz, PLD-1.5 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 68VDC Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 2000MHz
Otros nombres: RF MOSFET, N CHANNEL, 68V, 466-03, FULL REEL.
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Precio unitario: 5,791€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 387 |
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MW6S010GNR1 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 68 VDC, 450 MHz, 1500 MHz, TO-270 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 68VDC Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 450MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 1500MHz |
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Precio unitario: 11,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 140 |
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MW6S010NR1 |
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Fabricado por:
Transistor RF FET, 68 V, 450 MHz, 1.5 GHz, TO-270 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 68V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.5GHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 450MHz |
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Precio unitario: 10,874€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 260 |
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MW7IC915NT1 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 698 MHz, 960 MHz, PQFN Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 698MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 960MHz Encapsulado del Transistor RF: PQFN
Otros nombres: Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-960 MHz, 1.6 W Avg., 28 V / TR REEL 13.
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Precio unitario: 20,874€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 890 |
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MW7IC930NBR1 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 960 MHz, TO-272WB Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 960MHz |
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Precio unitario: 27,713€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 399 |
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MW7IC930NR1 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 960 MHz, TO-270WB Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 960MHz |
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Precio unitario: 24,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 500 |
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MWI100-06A8 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT; 410W |
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Precio unitario: 71,295€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |