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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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MWI75-12T8T |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT; 360W |
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Precio unitario: 84,390€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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MWI80-12T6K |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT; 270W |
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Precio unitario: 54,514€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NCV1413BDR2G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA
Otros nombres: Par Darlington, NCV1413BDR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común.
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Precio unitario: 0,174€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2475 |
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NCV8402ADDR2G |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, AEC-Q101, Canal N Doble, 2 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 42V
Otros nombres: AEC-Q100 Controlador de periféricos NCV8402ADDR2G, SOIC 8 pines, MOSFET Doble, AEC-Q100, Canal N Doble, 2 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V.
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Precio unitario: 0,362€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8162 |
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NCV8402ASTT1G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, AEC-Q101, Canal N, 2 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 42V
Otros nombres: Driver de puerta MOSFET NCV8402ASTT1G, SOT-223 3 + Tab pines.
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Precio unitario: 0,200€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2000 |
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NCV8402ASTT3G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.37 A, 42 V, 0.165 ohm, 10 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.37A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 42V
Otros nombres: Driver de puerta MOSFET NCV8402ASTT3G, SOT-223 3 + Tab pines.
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Precio unitario: 0,205€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2354 |
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NCV8405ADTRKG |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 42 V, 0.09 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 42V
Otros nombres: Driver de puerta MOSFET NCV8405ADTRKG, 6 A DPAK 3 pines.
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Precio unitario: 0,338€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 70 |
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NCV8405ASTT1G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 42 V, 0.09 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 42V
Otros nombres: AEC-Q101 Controlador de periféricos NCV8405ASTT1G, SOT-223 4 pines.
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Precio unitario: 0,338€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 595 |
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NCV8440ASTT1G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 52 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 52V
Otros nombres: Transistor digital, NCV8440ASTT1G, SOT-223, 3 + Tab pines.
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Precio unitario: 0,339€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1213 |
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NDB6060L |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 48 A, 60 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 48A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: Transistor digital, NDB6060L, TO-263AB, 2 + Tab pines, Simple.
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Precio unitario: 0,757€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3147 |
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NDC7001C |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 340 mA, 50 V, 1 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 340mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 50V
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N y P, 510 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 2.1 V, MOSFET, NDC7001C, Dual, N/P-Canal, 340 mA, 510 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-23 Aislado Si.
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Precio unitario: 0,338€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4970 |
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NDC7002N |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 510 mA, 50 V, 2 ohm, 10 V, 1.9 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 510mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 50V
Otros nombres: MOSFET, NDC7002N, Dual, N-Canal-Canal, 510 mA, 50 V, 6-Pin, SOT-23 Aislado Si.
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Precio unitario: 0,116€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4063 |
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NDC7003P |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -340 mA, -60 V, 1.2 ohm, -10 V, -1.9 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -340mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, NDC7003P, Dual, P-Canal, 340 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-23 PowerTrench Aislado Si.
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Precio unitario: 0,121€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 28 |
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NDD02N60Z-1G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.2 A, 600 V, 4 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, NDD02N60Z-1G, N-Canal, 2,4 A, 600 V, 3-Pin, IPAK (TO-251).
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Precio unitario: 0,193€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 162 |
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NDD04N60ZT4G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.1 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.9 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,292€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |