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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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NGTG12N60TF1G |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 24 A, 1.4 V, 54 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pines Corriente de Colector DC: 24A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.4V Disipación de Potencia Pd: 54W
Otros nombres: IGBT, NGTG12N60TF1G, N-Canal, 88 A (pulso), 600 V, TO-3PF, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 0,896€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NGTG15N60S1EG |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 30 A, 1.75 V, 117 W, 600 V, TO-220, 3 Pines Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V Disipación de Potencia Pd: 117W |
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Precio unitario: 0,479€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 460 |
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NGTG20N60L2TF1G |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 40 A, 1.45 V, 64 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pines Corriente de Colector DC: 40A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V Disipación de Potencia Pd: 64W
Otros nombres: IGBT, NGTG20N60L2TF1G, N-Canal, 105 A (pulso), 600 V, TO-3PF, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 0,795€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NGTG30N60FLWG |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 60 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.65V Disipación de Potencia Pd: 250W
Otros nombres: IGBT, NGTG30N60FLWG, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple.
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Precio unitario: 1,591€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NGTG30N60FWG |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 60 A, 1.45 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V Disipación de Potencia Pd: 167W
Otros nombres: IGBT, NGTG30N60FWG, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple.
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Precio unitario: 2,153€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NGTG35N65FL2WG |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida y Aplicaciones Solares, 70 A, 1.7 V Corriente de Colector DC: 70A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V Disipación de Potencia Pd: 300W
Otros nombres: IGBT, NGTG35N65FL2WG, N-Canal, 70 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 1,649€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 69 |
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NGTG50N60FLWG |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 100 A, 1.65 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.65V Disipación de Potencia Pd: 223W |
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Precio unitario: 2,871€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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NGTG50N60FWG |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V Disipación de Potencia Pd: 223W
Otros nombres: IGBT, NGTG50N60FWG, N-Canal, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ 1 Simple, IGBT, NGTG50N60FWG, N-Canal, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple.
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Precio unitario: 3,017€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NID9N05ACLT4G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 55 V, 0.09 ohm, 12 V, 1.75 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V |
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Precio unitario: 0,396€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 869 |
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NJD2873T4G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 50 V, 65 MHz, 1.68 W, 2 A, 40 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Frecuencia de Transición ft: 65MHz
Otros nombres: Transistor, NJD2873T4G, NPN 2 A 50 V DPAK (TO-252), 3 pines, 10 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,157€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1728 |
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NJD35N04G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, AEC-Q100, NPN, 350 V, 90 MHz, 45 W, 4 A, 300 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 350V Frecuencia de Transición ft: 90MHz
Otros nombres: Par Darlington, NJD35N04G, NPN 4 A, 350 V, HFE:300, DPAK (TO-252), 3 pines Simple.
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Precio unitario: 0,308€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NJD35N04T4G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 350 V, 45 W, 4 A, 300 hFE, TO-252 Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 350V Disipación de Potencia Pd: 45W
Otros nombres: Par Darlington, NJD35N04T4G, NPN 4 A, 350 V, HFE:2000, DPAK (TO-252), 3 pines Simple.
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Precio unitario: 0,343€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1210 |
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NJL1302DG |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -260 V, 30 MHz, 200 W, -15 A, 45 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -260V Frecuencia de Transición ft: 30MHz
Otros nombres: Transistor, NJL1302DG, PNP 15 (Continuous) A, 25 (Peak) A 260 V TO-264, 5 pines, 1 MHz, Simple.
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Precio unitario: 2,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 142 |
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NJL3281DG |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 260 VDC, 30 MHz, 200 W, 15 A, 45 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 260VDC Frecuencia de Transición ft: 30MHz
Otros nombres: Transistor, NJL3281DG, NPN 15 (Continuous) A, 25 (Peak) A 260 V TO-264, 5 pines, 1 MHz, Simple.
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Precio unitario: 2,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NJT4030PT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, AEC-Q101, PNP, -40 V, 160 MHz, 2 W, -3 A, 100 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Frecuencia de Transición ft: 160MHz
Otros nombres: Transistor, NJT4030PT1G, PNP 5 A 40 V SOT-223, 3 + Tab pines, Simple.
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Precio unitario: 0,109€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2118 |