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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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NSS30101LT1G |
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Fabricado por:
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 710mW; SOT23
Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 30 V, 100 MHz, 710 mW, 1 A, 200 hFE, Transistor, NSS30101LT1G, NPN 1 A 30 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,068€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 2200 |
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NSS40200LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -40 V, 100 MHz, 710 mW, -2 A, 150 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: Transistor digital, NSS40200LT1G, PNP -40 V dc SOT-23, 3 pines, Simple.
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Precio unitario: 0,085€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 98 |
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NSS40201LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 150 MHz, 540 mW, 4 A, 370 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 150MHz
Otros nombres: Transistor, NSS40201LT1G, NPN 2 A 40 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple, Transistor: NPN; bipolar; 40V; 2A; 460mW; SOT23.
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Precio unitario: 0,084€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1464 |
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NSS40300MZ4T1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -40 V, 160 MHz, 2 W, -3 A, 100 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Frecuencia de Transición ft: 160MHz
Otros nombres: Transistor digital, NSS40300MZ4T1G, PNP 40 V dc SOT-223, 3 + Tab pines, Simple.
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Precio unitario: 0,119€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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NSS40301MZ4T1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 215 MHz, 2 W, 3 A, 100 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 215MHz
Otros nombres: Transistor, NSS40301MZ4T1G, NPN 3 A 40 V HFE:100 SOT-223, 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,132€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1097 |
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NSS40302PDR2G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 40 V, 783 mW, 3 A, 200 hFE, SOIC Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 783mW
Otros nombres: Transistor, NSS40302PDR2G, NPN + PNP 3 A 40 V Dual SOIC, 8 pines, 100 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,214€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1019 |
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NSS40500UW3T2G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -40 V, 100 MHz, 1.5 W, -5 A, 150 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Frecuencia de Transición ft: 100MHz |
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Precio unitario: 0,277€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2148 |
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NSS60101DMTTBG |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 60 V, 2.27 W, 1 A, 35 hFE, WDFN Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 60V Disipación de Potencia Pd: 2.27W |
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Precio unitario: 0,153€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1777 |
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NSS60200LT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -60 V, 100 MHz, 540 mW, -2 A, 100 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -60V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: Transistor, NSS60200LT1G, PNP 2 A 60 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,100€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2629 |
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NSS60201LT1G |
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Fabricado por:
Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 460mW; SOT23
Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 60 V, 100 MHz, 540 mW, 2 A, 100 hFE, Transistor digital, NSS60201LT1G, NPN 60 V dc SOT-23, 3 pines, Simple.
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Precio unitario: 0,102€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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NSS60600MZ4T1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -60 V, 100 MHz, 2 W, -6 A, 70 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -60V Frecuencia de Transición ft: 100MHz
Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -60 V, 100 MHz, 2 W, -6 A, 150 hFE, Transistor, NSS60600MZ4T1G, PNP 6 A 60 V SOT-223, 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,197€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11548 |
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NST30010MXV6T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -30 V, 661 mW, -100 mA, 420 hFE, SOT-563 Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -30V Disipación de Potencia Pd: 661mW
Otros nombres: Transistor, NST30010MXV6T1G, PNP 100 mA 30 V Dual SOT-563, 6 pines, 100 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1129 |
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NST3904DP6T5G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 40 V, 350 mW, 200 mA, 30 hFE, SOT-963 Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 350mW |
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Precio unitario: 0,044€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3401 |
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NST3904F3T5G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 40 V, 200 MHz, 347 mW, 200 mA, 30 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Frecuencia de Transición ft: 200MHz |
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Precio unitario: 0,041€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 545 |
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NST3906DXV6T1G |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -40 V, 357 W, 200 mA, 30 hFE, SOT-563 Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Disipación de Potencia Pd: 357W
Otros nombres: Transistor, NST3906DXV6T1G, PNP 200 mA 40 V HFE:30 Dual SOT-563, 6 pines, 1 kHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,049€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7730 |