Fabricado por: Parker

Tapas de Cierre Hidráulicas

Tapón de obturación hidráulico Parker 6FNMK4S, G 3/8 Acero, máx. presión funcionamiento 380 bar

Fabricado por: Siemens

Adquisición de Datos

PROFIBUS OBT Terminal - 6GK1500-3AA10

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 6MBI100U4B-120-50, Puente trifásico, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M633, 35-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: Fuji Electric

IGBT

Módulo IGBT, 6MBI300V-120-50, N-Canal, 300 A, 1.200 V, M629, 29-Pines Trifásico

Fabricado por: Fuji Electric

IGBT

Módulo IGBT, 6MBI450V-120-50, N-Canal, 450 A, 1.200 V, M629, 29-Pines Trifásico

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 6MBI50U4A-120-50, Puente trifásico, 50 A, 1.200 V, N-Canal, M636, 28-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 6MBI50VA-060-50, Puente trifásico, 50 A, 600 V, N-Canal, M636, 28-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 6MBI75VA-120-50, Puente trifásico, 75 A, 1.200 V, N-Canal, M636, 28-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 6MBP100RA-060-55, Trifásico, 100 A, 600 V, N-Canal, P 610, 22-Pines

IGBT de alto rendimiento y alta fiabilidad con seis drivers por módulo.

Fabricado por: Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Circuito de 6 Chips de Puente Trifásico, IGBT, 600 V, 15 A

Módulos Inteligentes de Potencia

Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Circuito de 6 Chips de Puente Trifásico, IGBT, 600 V, 15 A

Fabricado por: Fuji Electric

IGBT

IGBT, 6MBP15XSD060-50-P, 15 A, 600 V, IPM, 36-Pines

Fabricado por: Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Circuito de 6 Chips de Puente Trifásico, IGBT, 600 V, 15 A

Módulos Inteligentes de Potencia

Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Circuito de 6 Chips de Puente Trifásico, IGBT, 600 V, 15 A

Fabricado por: Fuji Electric

IGBT

IGBT, 6MBP15XSF060-50-P, 15 A, 600 V, IPM, 36-Pines

Fuji Electric ha desarrollado módulos IGBT diseñados para uso como elementos de conmutación para convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, fuentes de alimentación ininterrumpida, y mucho más. Los IGBT ofrecen unas características superiores, al combinar el rendimiento de conmutación de alta velocidad de un MOSEFT de potencia con la capacidad de control de alta tensión/alta corriente de un transistor bipolar.

Fabricado por: Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Circuito de 6 Chips de Puente Trifásico, IGBT, 600 V, 20 A

Módulos Inteligentes de Potencia

Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Circuito de 6 Chips de Puente Trifásico, IGBT, 600 V, 20 A

Fabricado por: Fuji Electric

IGBT

IGBT, 6MBP20XSD060-50-P, 20 A, 600 V, IPM, 36-Pines

Fuji Electric ha desarrollado módulos IGBT diseñados para uso como elementos de conmutación para convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, fuentes de alimentación ininterrumpida, y mucho más. Los IGBT ofrecen unas características superiores, al combinar el rendimiento de conmutación de alta velocidad de un MOSEFT de potencia con la capacidad de control de alta tensión/alta corriente de un transistor bipolar.