Mostrando 25274 resultados para Bt.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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6MBP20XSF-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Circuito de 6 Chips de Puente Trifásico, IGBT, 600 V, 20 A |
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Precio unitario: 8,148€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBP20XSF060-50-P |
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Fabricado por:
IGBT, 6MBP20XSF060-50-P, 20 A, 600 V, IPM, 36-Pines Fuji Electric ha desarrollado módulos IGBT diseñados para uso como elementos de conmutación para convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, fuentes de alimentación ininterrumpida, y mucho más. Los IGBT ofrecen unas características superiores, al combinar el rendimiento de conmutación de alta velocidad de un MOSEFT de potencia con la capacidad de control de alta tensión/alta corriente de un transistor bipolar. |
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Precio unitario: 11,021€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBP25VAA-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 2.1 V, 166 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V
Otros nombres: Módulo de potencia inteligente, 6MBP25VAA-120-50, Trifásico, 25 A, 1.200 V, N-Canal, P 629, 20-Pines.
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Precio unitario: 49,887€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 37 |
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6MBP30RH-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 30 A, 2.7 V, 85 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.7V |
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Precio unitario: 48,917€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBP30XSD-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Circuito de 6 Chips de Puente Trifásico, IGBT, 600 V, 30 A |
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Precio unitario: 8,555€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBP30XSD060-50-P |
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Fabricado por:
IGBT, 6MBP30XSD060-50-P, 30 A, 600 V, IPM, 36-Pines Fuji Electric ha desarrollado módulos IGBT diseñados para uso como elementos de conmutación para convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, fuentes de alimentación ininterrumpida, y mucho más. Los IGBT ofrecen unas características superiores, al combinar el rendimiento de conmutación de alta velocidad de un MOSEFT de potencia con la capacidad de control de alta tensión/alta corriente de un transistor bipolar. |
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Precio unitario: 15,413€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBP30XSF-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Circuito de 6 Chips de Puente Trifásico, IGBT, 600 V, 30 A |
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Precio unitario: 8,555€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBP30XSF060-50-P |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 15,375€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBP35XSD-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Circuito de 6 Chips de Puente Trifásico, IGBT, 600 V, 35 A |
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Precio unitario: N/D Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBP35XSF-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo Inteligente de Potencia (IPM), Circuito de 6 Chips de Puente Trifásico, IGBT, 600 V, 35 A |
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Precio unitario: N/D Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBP35XSF060-50-P |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 9,729€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBP50RA-060-55 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBP50RA-060-55, Trifásico, 50 A, 600 V, N-Canal, P 610, 22-Pines IGBT de alto rendimiento y alta fiabilidad con seis drivers por módulo. |
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Precio unitario: 66,833€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBP50VAA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 2 V, 192 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V
Otros nombres: Módulo de potencia inteligente, 6MBP50VAA-060-50, Trifásico, 50 A, 600 V, N-Canal, P 629, 20-Pines.
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Precio unitario: 54,611€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 49 |
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6MBi100VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBi100VA-120-50, Puente trifásico, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M636, 28-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 103,499€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBi300V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBi300V-120-50, Puente trifásico, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M629, 29-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 544,054€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |