Fabricado por: Infineon

Controladores de Puerta IGBT

Controlador IGBT, Inversor / No Inversor, 10 A, 3.5 V a 15 V, DSO-8

Configuración del Controlador: Inversión, No Inversión Pico de Corriente de Salida: 10A Tensión de Alimentación Mín.: 3.5V

Fabricado por: Infineon

Controladores de Puerta IGBT

Controlador IGBT, Lado Alto, 10A, Suministro 3.3V a 15V, Retardo 300ns/300ns, SOIC-8

Configuración del Controlador: Lado Alto Pico de Corriente de Salida: 10A Tensión de Alimentación Mín.: 3.3V

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 2.4 kA, 2.47 V, 9.76 kW, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 2.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.47V

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 1MBi200U4H-120L-50, Único, 200 A, 1.200 V, N-Canal, M259, 7-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 480 A, 1.2 kV, 2.4 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 480A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 1MBi600V-120-50, Único, 600 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 1MBi900V-120-50, Único, 900 MHZ, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: Fuji Electric

IGBT

Módulo IGBT, 1MBi200U4H-120L-50, N-Canal, 200 A, 1.200 V, M259, 7-Pines Simple

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 1MBi400V-120-50, Único, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 1MBi600V-120-50, Único, 600 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 1MBi900V-120-50, Único, 900 MHZ, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Schottky y Rectificadores

Diodo, 1N485BTR, 200mA, 200V, DO-35, 2-Pines, Conexión de silicio

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Zener

ON Semiconductor 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5226BTR +200 °C 500 mW 25μA 28Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 3.3V

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Zener

ON Semiconductor 1.91mm 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 4.56mm 1N5227BTR +200 °C 500 mW 15μA 24Ω -65 °C

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Zener Simples

Diodo Zener Simple, 3.9 V, 500 mW, DO-204AH, 5 %, 2 Pines, 200 °C

Tensión Zener Vz Típica: 3.9V Disipación de Potencia Pd: 500mW Encapsulado del Diodo: DO-204AH