Mostrando 109128 resultados para Ctr.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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1MBI400V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 1MBi400V-120-50, Único, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 480 A, 1.2 kV, 2.4 kW, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 97,216€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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1MBI600V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 1MBi600V-120-50, Único, 600 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 720 A, 1.2 kV, 3 kW, Module.
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Precio unitario: 122,689€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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1MBI900V-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.04 kA, 1.2 kV, 4.3 kW, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.04kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi900V-120-50, Único, 900 MHZ, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.
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Precio unitario: 150,350€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBi200U4H-120L-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 1MBi200U4H-120L-50, N-Canal, 200 A, 1.200 V, M259, 7-Pines Simple |
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Precio unitario: 92,208€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBi400V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 1MBi400V-120-50, Único, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 99,454€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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1MBi600V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 1MBi600V-120-50, Único, 600 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 124,194€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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1MBi900V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 1MBi900V-120-50, Único, 900 MHZ, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 186,483€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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1N34A-NTE |
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Fabricado por:
Diode: point contact; 65V; 50mA; 200mA; DO7; single diode; Ufmax: 1V |
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Precio unitario: 0,522€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1N4004 |
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Fabricado por:
Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 400V Corriente Directa If(AV): 1A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: DLGL5775, Diodo de Recuperación Estándar, 400 V, 1 A, Único, 1 V, 30 A.
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Precio unitario: 0,113€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 32313 |
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1N4007 |
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Fabricado por:
Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 480 mV, 30 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1kV Corriente Directa If(AV): 1A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: DLGL4677, DLGL5651, DLGL5729, Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 1 V, 30 A, Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 1.1 V, 30 A, Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 1 A, Único, 3 V, 30 A.
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Precio unitario: 0,072€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 154635 |
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1N4148-LGE |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador; THT; 75V; 0,15A; Ammo Pack; Ifsm: 2A; DO35 |
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Precio unitario: 0,006€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 8880 |
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1N4764A |
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Fabricado por:
Tensión Zener Vz Típica: 100V Disipación de Potencia Pd: 1W Encapsulado del Diodo: DO-41 |
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Precio unitario: 0,284€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 383 |
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1N5059 |
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Fabricado por:
Otros nombres: 1N5059.
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Precio unitario: 0,687€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1N5231CTR |
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Fabricado por:
Otros nombres: Diodo Zener Simple, 5 V, 500 mW, DO-204AH, 2 %, 2 Pines, 200 °C, ON Semiconductor 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231CTR +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 DO-35.
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Precio unitario: 0,035€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1N5234CTR |
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Fabricado por:
Diodo Zener Simple, 6.2 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 %, 2 Pines, 200 °C Tensión Zener Vz Típica: 6.2V Disipación de Potencia Pd: 500mW Encapsulado del Diodo: DO-35 (DO-204AH)
Otros nombres: ON Semiconductor 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234CTR +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 DO-35 2, ON Semiconductor 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234CTR +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo.
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Precio unitario: 0,015€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5000 |