Mostrando 587 resultados para Fuji.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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7MBR35VB-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR35VB-120-50, Puente trifásico, 35 A, 1.200 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 79,104€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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7MBR50U2A-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR50U2A-060-50, N-Canal, 50 A, 600 V, M711, 24-Pines Trifásico |
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Precio unitario: 35,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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7MBR50UA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR50UA-120-50, Puente trifásico, 50 A, 1.200 V, N-Canal, M711, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 73,397€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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7MBR50VB-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR50VB-120-50, N-Canal, 50 A, 1.200 V, M712, 24-Pines Trifásico
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 84,613€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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7MBR75U4B-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR75U4B-120-50, Puente trifásico, 75 A, 1.200 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 88,513€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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7MBR75VB-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR75VB-060-50, Puente trifásico, 75 A, 600 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 85,506€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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7MBR75VB-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR75VB-120-50, Puente trifásico, 75 A, 1.200 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 129,456€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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82963 |
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Fabricado por:
DELOCK Slotbracket 2x USB 3.0
Otros nombres: DISPER1501.
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Precio unitario: 7,605€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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A-12W-K |
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Fabricado por:
Relé sin enclavamiento Fujitsu, DPDT, bobina 12V dc, Montaje en PCB Los relés de señal en miniatura bipolares serie A de Fujitsu presentan un perfil muy bajo de solo 5 mm de altura, terminales de paso DIL y una amplia gama operativa
Otros nombres: Relé: electromagnético; DPDT; Uinductor: 12VCC; 0,5A/125VCA; 2A.
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Precio unitario: 2,150€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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A-24W-K |
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Fabricado por:
Relé: electromagnético; DPDT; Uinductor: 24VCC; 0,5A/125VCA; 2A |
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Precio unitario: 0,970€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 4117 |
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A-5W-K |
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Fabricado por:
SIGNAL RELAY 5V 2A 2CO THT |
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Precio unitario: 0,553€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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A-9W-K |
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Fabricado por:
SIGNAL RELAY 9V 2A 2CO THT |
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Precio unitario: 1,426€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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CJ1W-ID261-CHN |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 557,750€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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CJ1W-MD261-Mixed I/O |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 557,750€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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CJ1W-OD261-CHN |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 660€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |