Mostrando 587 resultados para Fuji.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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6MBP50VAA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 2 V, 192 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V
Otros nombres: Módulo de potencia inteligente, 6MBP50VAA-060-50, Trifásico, 50 A, 600 V, N-Canal, P 629, 20-Pines.
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Precio unitario: 54,611€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 49 |
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6MBP50VBA-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo de potencia inteligente, 6MBP50VBA-060-50, Trifásico, 50 A, 600 V, N-Canal, P 626, 24-Pines La serie V de módulos de potencia inteligente (IPM) de Fuji Electric está equipada con accionamiento, control y protección de circuitos IGBT. Son fáciles de implementar en aplicaciones de control de alimentación de servos AC, equipos de aire acondicionado y ascensores. Las funciones de protección integradas optimizan e incrementan la vida útil de los IGBT IPM, lo que garantiza la protección de la alta fiabilidad del sistema. Los IPM incorporan protección contra exceso de corriente, … |
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Precio unitario: 87,397€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBP50VBA-120-50 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 70,694€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBi100VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBi100VA-120-50, Puente trifásico, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M636, 28-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 103,499€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBi300V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBi300V-120-50, Puente trifásico, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M629, 29-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 544,054€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBi450V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBi450V-120-50, N-Canal, 450 A, 1.200 V, M629, 29-Pines Trifásico |
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Precio unitario: 430,573€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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7MBP35VDA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo de potencia inteligente, 7MBP35VDA-120-50, Trifásico, 35 A, 1.200 V, N-Canal, P 630, 25-Pines La serie V de módulos de potencia inteligente (IPM) de Fuji Electric está equipada con accionamiento, control y protección de circuitos IGBT. Son fáciles de implementar en aplicaciones de control de alimentación de servos AC, equipos de aire acondicionado y ascensores. Las funciones de protección integradas optimizan e incrementan la vida útil de los IGBT IPM, lo que garantiza la protección de la alta fiabilidad del sistema. Los IPM incorporan protección contra exceso de corriente, … |
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Precio unitario: 101,931€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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7MBP50RA-120-55 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBP50RA-120-55, Trifásico, 50 A, 1.200 V, N-Canal, P 610, 22-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 123,782€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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7MBP50VDA-060-50 |
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Fabricado por:
Otros nombres: Módulo de potencia inteligente, 7MBP50VDA-060-50, N-Canal, 50 A, 600 V, P 630, 25-Pines, 20kHz Trifásico.
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Precio unitario: 99,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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7MBP75RA-120-55 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBP75RA-120-55, Trifásico, 75 A, 1.200 V, N-Canal, P 610, 22-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 160,535€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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7MBP75VDA-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo de potencia inteligente, 7MBP75VDA-060-50, Trifásico, 75 A, 600 V, N-Canal, P 630, 25-Pines La serie V de módulos de potencia inteligente (IPM) de Fuji Electric está equipada con accionamiento, control y protección de circuitos IGBT. Son fáciles de implementar en aplicaciones de control de alimentación de servos AC, equipos de aire acondicionado y ascensores. Las funciones de protección integradas optimizan e incrementan la vida útil de los IGBT IPM, lo que garantiza la protección de la alta fiabilidad del sistema. Los IPM incorporan protección contra exceso de corriente, … |
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Precio unitario: 113,791€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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7MBR100U4B-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR100U4B-120-50, Puente trifásico, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 111,582€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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7MBR100VB-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR100VB-060-50, Puente trifásico, 100 A, 600 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 113,904€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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7MBR25UA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR25UA-120-50, Puente trifásico, 25 A, 1.200 V, N-Canal, M711, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 52,687€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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7MBR25VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR25VA-120-50, Puente trifásico, 25 A, 1.200 V, N-Canal, M711, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 49,357€ Unidades/pack: N/D Entrega: 11 días Stock: Sí |