Mostrando 587 resultados para Fuji.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FBR582ND24-W |
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Fabricado por:
Relé sin enclavamiento Fujitsu FBR582, bobina 24V dc, Montaje en PCB |
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Precio unitario: 8,575€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FBR582ND24-Y |
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Fabricado por:
Relé sin enclavamiento Fujitsu FBR582, bobina 24V dc, Montaje en PCB |
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Precio unitario: 6,354€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FBR59ND12-Y-HW |
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Fabricado por:
Relé: electromagnético; 1 Form U; Uinductor: 12VCC; 60A; 320Ω |
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Precio unitario: 2,047€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 299 |
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FCC-02R |
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Fabricado por:
Cinta Limpiador de fibra óptica Fujikura FCC-02R, Cartucho para 400 aplicaciones |
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Precio unitario: 403,200€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FCC-R |
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Fabricado por:
Cinta Limpiador de fibra óptica Fujikura FCC-R, Carrete para 400 aplicaciones |
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Precio unitario: 161,457€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW15N120HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW15N120HD, N-Canal, 15 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 31 A, 1.8 V, 155 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 5,757€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW15N120VD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW15N120VD, N-Canal, 15 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 28 A, 1.85 V, 155 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 4,074€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW25N120VD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 48 A, 1.85 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 48A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Disipación de Potencia Pd: 260W |
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Precio unitario: 6,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW30N120HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW30N120HD, N-Canal, 30 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 53 A, 1.8 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 6,809€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FGW30N60VD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW30N60VD, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 55 A, 1.6 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 6,924€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FGW35N60HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW35N60HD, N-Canal, 35 A, 600 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 4,734€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FGW40N120HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW40N120HD, N-Canal, 40 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple |
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Precio unitario: 11,679€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW40N120VD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 63 A, 1.85 V, 340 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 63A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Disipación de Potencia Pd: 340W |
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Precio unitario: 7,488€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW50N60HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW50N60HD, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 95 A, 1.5 V, 360 W, 600 V, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 6,677€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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FGW50N60VD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 85 A, 1.6 V, 360 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 85A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 360W
Otros nombres: IGBT, FGW50N60VD, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-247, 3-Pines.
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Precio unitario: 6,577€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |