Mostrando 587 resultados para Fuji.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FGW75N60HD
FGW75N60HD

Fabricado por: Fuji Electric

IGBT

IGBT, FGW75N60HD, N-Canal, 75 A, 600 V, TO-247, 3-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Otros nombres: Transistor Único IGBT, 100 A, 1.5 V, 500 W, 600 V, TO-247, 3 Pines.

Precio unitario: 9,331€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 25 días
Stock: Sí
FMH20N60S1
FMH20N60S1

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 2,793€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 119
FMH30N60S1
FMH30N60S1

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 4,093€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 376
FMH47N60S1
FMH47N60S1

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.059 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 7,062€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FMP20N60S1
FMP20N60S1

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 2,541€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FMP30N60S1
FMP30N60S1

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 3,725€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 10
FMV20N60S1
FMV20N60S1

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 2,677€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FMV30N60S1
FMV30N60S1

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 3,696€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 401
FMW20N60S1HF
FMW20N60S1HF

Fabricado por: Fuji Electric

MOSFET

MOSFET, FMW20N60S1HF, N-Canal, 20 A, 600 V, 3-Pin, TO-247

MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V.

Precio unitario: 3,550€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
FMW30N60S1HF
FMW30N60S1HF

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 7,149€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5
FMW47N60S1HF
FMW47N60S1HF

Fabricado por: Fuji Electric

MOSFET

MOSFET, FMW47N60S1HF, N-Canal, 47 A, 600 V, 3-Pin, TO-247

MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.059 ohm, 10 V, 3 V.

Precio unitario: 12,169€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FMW79N60S1HF
FMW79N60S1HF

Fabricado por: Fuji Electric

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 68 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 68A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Otros nombres: MOSFET, FMW79N60S1HF, N-Canal, 68 A, 600 V, 3-Pin, TO-247.

Precio unitario: 11,359€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FTR-B3CA003Z
FTR-B3CA003Z

Fabricado por: FUJITSU

Relés electromagn. miniaturizados

Relé: electromagnético; DPDT; Uinductor: 3VCC; 0,3A/125VCA; 2A

Precio unitario: 1,096€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FTR-B3CA012Z
FTR-B3CA012Z

Fabricado por: FUJITSU

Relés electromagn. miniaturizados

Relé: electromagnético; DPDT; Uinductor: 12VCC; 0,3A/125VCA; 2A

Precio unitario: 0,941€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 2712
FTR-B3CA024Z
FTR-B3CA024Z

Fabricado por: FUJITSU

Relés electromagn. miniaturizados

Relé: electromagnético; DPDT; Uinductor: 24VCC; 0,3A/125VCA; 2A

Precio unitario: 0,941€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí