Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores » Arrays y Módulos IGBT
Mostrando 362 referencias.
SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
---|---|---|---|---|---|
FF1000R17IE4BOSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.39 kA, 2 V, 6.25 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.39kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF1000R17IE4BOSA1, N-Canal, 1 kA, 1.700 V, PrimePACK3, 10-Pines Serie, Módulo IGBT, FF1000R17IE4BOSA1, N-Canal, 1 kA, 1700 V, PrimePACK3, 10-Pines Serie.
|
Precio unitario: 562,600€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
FF100R12KS4HOSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 3.2 V, 780 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
Precio unitario: 71,644€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
|||
FF100R12RT4HOSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF100R12RT4HOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie.
|
Precio unitario: 42,641€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18 |
|||
FF1200R12IE5BPSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.2 kA, 1.7 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.2kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
Precio unitario: 603,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
|||
FF1200R12IE5PBPSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.2 kA, 1.7 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.2kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
Precio unitario: 604,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
FF1400R12IP4BOSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.4 kA, 1.75 V, 7.65 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF1400R12IP4BOSA1, N-Canal, 1,4 kA, 1.200 V, AG-PRIME3-1 Serie.
|
Precio unitario: 581,760€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
FF1400R17IP4BOSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.4 kA, 1.75 V, 9.55 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF1400R17IP4BOSA1, Serie, 1,4 kA, 1700 V, N-Canal, AG-PRIME3-1.
|
Precio unitario: 701,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
FF150R12KE3GHOSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
Precio unitario: 79,763€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
|||
FF150R12KS4HOSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF150R12KS4HOSA1, N-Canal, 225 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie.
|
Precio unitario: 80,714€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
FF150R12KT3GHOSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 1.7 V, 780 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
Precio unitario: 79,365€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8 |
|||
FF150R12MS4GBOSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
Precio unitario: 93,120€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
|||
FF150R12RT4HOSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF150R12RT4HOSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie.
|
Precio unitario: 52,293€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
|||
FF150R17KE4HOSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Doble, 250 A, 1.95 V, 1.1 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: NPN Doble Corriente de Colector DC: 250A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
Precio unitario: 81,691€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
FF1800R17IP5BPSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.8 kA, 1.75 V, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.8kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
Precio unitario: 1,090,280€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
FF200R06KE3HOSA1 |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 260 A, 1.45 V, 680 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 260A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
Precio unitario: 73,497€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |