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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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10A07-T |
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Fabricado por:
Diodo de Recuperación Estándar, 1 kV, 10 A, Único, 1 V, 600 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1kV Corriente Directa If(AV): 10A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo de conmutación, 10A07-T, 10A, 1000V, R 6, 2-Pines, Diodo: rectificador; THT; 1kV; 10A; Empaquetado: bobina,cinta; R6.
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Precio unitario: 0,276€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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10BQ015TRPBF |
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Fabricado por:
Rectificador Schottky, 15 V, 1 A, Único, DO-214AA, 2 Pines, 320 mV Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 15V Corriente Directa If(AV): 1A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,066€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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12A02MH-TL-E |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -12 V, 450 MHz, 600 mW, -1 A, 300 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -12V Frecuencia de Transición ft: 450MHz
Otros nombres: Transistor, 12A02MH-TL-E, PNP 1 A 12 V HFE:300 MCPH, 3 pines, 450 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,042€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5819 |
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150K30A |
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Fabricado por:
Módulo de Diodos, 300 V, 150 A, 1.33 V, Simple, VS-150K Series |
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Precio unitario: 34,978€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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15C01M-TL-E |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 15 V, 330 MHz, 300 mW, 700 mA, 300 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Frecuencia de Transición ft: 330MHz
Otros nombres: Transistor, 15C01M-TL-E, NPN 700 mA 15 V MCP, 3 pines, 330 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,039€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5535 |
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15C02CH-TL-E |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 15 V, 400 MHz, 700 mW, 1 A, 300 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Frecuencia de Transición ft: 400MHz
Otros nombres: Transistor, 15C02CH-TL-E, NPN 1 A 15 V CPH, 3 pines, 400 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,055€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3680 |
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16F120 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 2,047€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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16FR120 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 2,270€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1HN04CH-TL-W |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 270 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 270mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,168€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1938 |
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1HP04CH-TL-W |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -170 mA, -100 V, 18 ohm, -10 V, -2.6 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -170mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V |
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Precio unitario: 0,138€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2699 |
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1KAB10E. |
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Fabricado por:
Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 100 V, 1.2 A, 1.1 V, 4 Pines Núm. de Fases: Una Fase Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 100V Corriente Directa If(AV): 1.2A |
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Precio unitario: 0,610€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBI1600U4C-170 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 2.4 kA, 2.47 V, 9.76 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 2.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.47V |
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Precio unitario: 561,630€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBI400V-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 480 A, 1.2 kV, 2.4 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 480A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi400V-120-50, Único, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.
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Precio unitario: 100,880€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBI600V-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 720 A, 1.2 kV, 3 kW, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 720A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi600V-120-50, Único, 600 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.
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Precio unitario: 91,209€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBI900V-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.04 kA, 1.2 kV, 4.3 kW, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.04kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi900V-120-50, Único, 900 MHZ, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.
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Precio unitario: 150,350€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |