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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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85HFR120 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 4,840€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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A1C15S12M3-F |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 15 A, 1.95 V, 142.8 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 15A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V
Otros nombres: IGBT2420.
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Precio unitario: 27,480€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15 |
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A1P25S12M3 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V
Otros nombres: IGBT2421.
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Precio unitario: 25,181€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
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A1P25S12M3-F |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V
Otros nombres: IGBT2423.
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Precio unitario: 25,734€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15 |
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A1P35S12M3-F |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V
Otros nombres: IGBT2426.
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Precio unitario: 28,877€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12 |
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A1P50S65M2 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 50 A, 1.95 V, 208 W, 650 V, Module Polaridad de Transistor: NPN Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x3; 208W.
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Precio unitario: 23,144€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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A2C25S12M3 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V
Otros nombres: IGBT2425.
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Precio unitario: 36,317€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
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A2C25S12M3-F |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V
Otros nombres: IGBT2433.
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Precio unitario: 37,840€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15 |
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A2C35S12M3 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V
Otros nombres: IGBT2432.
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Precio unitario: 36,045€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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A2C35S12M3-F |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V
Otros nombres: IGBT2430.
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Precio unitario: 36,618€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14 |
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A2I25D025NR1 |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Disipación de Potencia Pd: 3.2W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 2100MHz |
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Precio unitario: 27,451€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 495 |
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A2P75S12M3-F |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.95 V, 454.5 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V
Otros nombres: IGBT2427.
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Precio unitario: 50,847€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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AA104-73LF |
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Fabricado por:
Transistor FET de RF, 300 kHz, 2.5 GHz, SOT-23 Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 300kHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 2.5GHz Encapsulado del Transistor RF: SOT-23 |
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Precio unitario: 1,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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ABS10A-13 |
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Fabricado por:
Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 1 kV, 1 A, SMD, 1.1 V, 4 Pines Núm. de Fases: Una Fase Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1kV Corriente Directa If(AV): 1A
Otros nombres: BG4455, BG4589.
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Precio unitario: 0,071€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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ABS210-13 |
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Fabricado por:
Diodo Rectificador de Puente, Una Fase, 1 kV, 2 A, SMD, 1.1 V, 4 Pines Núm. de Fases: Una Fase Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1kV Corriente Directa If(AV): 2A |
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Precio unitario: 0,072€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |