Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 65 V, 11 W, 1805 MHz, 2700 MHz, TO-270

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Disipación de Potencia Pd: 11W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1805MHz

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 3700MHz

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 3600MHz

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, LDMOS, 65 VDC, 741 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, OM-780

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65VDC Disipación de Potencia Pd: 741W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 2.7GHz

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780H

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 105VDC Disipación de Potencia Pd: 526W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.03GHz

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780S

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 105VDC Disipación de Potencia Pd: 526W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.03GHz

Fabricado por: Broadcom Limited

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, Alta Linealidad, 5.5 V, 305 mA, 600 mW, 450 MHz, 10 GHz, SOT-343

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 5.5V Corriente de Drenaje Continua Id: 305mA Disipación de Potencia Pd: 600mW

Fabricado por: Broadcom Limited

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 5.5 V, 65 mA, 725 mW, 450 MHz, 10 GHz, SOT-343

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 5.5V Corriente de Drenaje Continua Id: 65mA Disipación de Potencia Pd: 725mW

Fabricado por: Broadcom Limited

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, Alta Linealidad, 3 V, 40 mA, 180 mW, 1.5 GHz, 18 GHz, SOT-363

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 3V Corriente de Drenaje Continua Id: 40mA Disipación de Potencia Pd: 180mW

Fabricado por: Broadcom Limited

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, Alta Linealidad, 7 V, 1 A, 2.25 W, 400 MHz, 3.9 GHz, SOT-89

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 7V Corriente de Drenaje Continua Id: 1A Disipación de Potencia Pd: 2.25W

Fabricado por: Broadcom Limited

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, Alta Linealidad, 7 V, 500 mA, 1.5 W, 50 MHz, 6 GHz, SOT-89

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 7V Corriente de Drenaje Continua Id: 500mA Disipación de Potencia Pd: 1.5W

Fabricado por: Broadcom Limited

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, Alta Linealidad, 7 V, 300 mA, 1 W, 50 MHz, 6 GHz, SOT-89

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 7V Corriente de Drenaje Continua Id: 300mA Disipación de Potencia Pd: 1W

Fabricado por: Broadcom Limited

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 5 V, 120 mA, 725 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 5V Corriente de Drenaje Continua Id: 120mA Disipación de Potencia Pd: 725mW

Fabricado por: Broadcom Limited

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 5 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 5V Corriente de Drenaje Continua Id: 100mA Disipación de Potencia Pd: 270mW

Fabricado por: Broadcom Limited

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, Silicio, 3 V, 500 mA, 500 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 3V Corriente de Drenaje Continua Id: 500mA Disipación de Potencia Pd: 500mW