Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores » Transistores FET de RF
Mostrando 142 referencias.
SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
---|---|---|---|---|---|
BF1107,215 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 3 V, SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 3V Encapsulado del Transistor RF: SOT-23 Número de Pines: 3Pines
Otros nombres: MOSFET, BF1107,215, N-Canal-Canal, 10 mA, 3 V, Reducción, 3-Pin, SOT-23 (TO-236AB) Simple Si.
|
Precio unitario: 0,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
BF1108,215 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 3 V, SOT-143B Tensión Drenador-Fuente (Vds): 3V Encapsulado del Transistor RF: SOT-143B Número de Pines: 4Pines |
Precio unitario: 0,207€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
BF2040E6814HTSA1 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 8 V, 40 mA, 200 mW, SOT-143 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 8V Corriente de Drenaje Continua Id: 40mA Disipación de Potencia Pd: 200mW
Otros nombres: MOSFET Tetrode, BF2040E6814HTSA1, N-Canal, 40 mA, 8 V, 4-Pin, SOT-143.
|
Precio unitario: 0,101€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14315 |
|||
BF513,215 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 20 V, 250 mW, SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V Disipación de Potencia Pd: 250mW Encapsulado del Transistor RF: SOT-23
Otros nombres: JFET, BF513,215, N-Canal, 20 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple.
|
Precio unitario: 0,229€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2455 |
|||
BF545A,215 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 30 V, 6.5 mA, 250 mW, SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V Corriente de Drenaje Continua Id: 6.5mA Disipación de Potencia Pd: 250mW
Otros nombres: JFET, BF545A,215, N-Canal, 30 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines.
|
Precio unitario: 0,258€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
|||
BF545C,215 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 30 V, 13 mA, 250 mW, SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V Corriente de Drenaje Continua Id: 13mA Disipación de Potencia Pd: 250mW |
Precio unitario: 0,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
BF861C,215 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 25 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V Corriente de Drenaje Continua Id: 25mA Disipación de Potencia Pd: 250mW
Otros nombres: JFET, BF861C,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple.
|
Precio unitario: 0,263€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2987 |
|||
BF904,215 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 7 V, 30 mA, 200 mW, 40 MHz, 3 GHz, SOT-143B Tensión Drenador-Fuente (Vds): 7V Corriente de Drenaje Continua Id: 30mA Disipación de Potencia Pd: 200mW
Otros nombres: MOSFET, BF904,215, N-Canal-Canal, 30 mA, 7 V, 4-Pin, SOT Simple Si.
|
Precio unitario: 0,080€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5184 |
|||
BF991,215 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143B Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V Corriente de Drenaje Continua Id: 20mA Disipación de Potencia Pd: 200mW |
Precio unitario: 0,196€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
BF992,215 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 20 V, 40 mA, 200 mW, SOT-143B Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V Corriente de Drenaje Continua Id: 40mA Disipación de Potencia Pd: 200mW
Otros nombres: MOSFET, BF992,215, N-Canal, 40 mA, 20 V, Reducción, 4-Pin, SOT-143.
|
Precio unitario: 0,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5438 |
|||
BF998 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 12 V, 30 mA, 200 mW, SOT-143B Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V Corriente de Drenaje Continua Id: 30mA Disipación de Potencia Pd: 200mW |
Precio unitario: 0,117€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
BLF578 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 110 V, 88 A, 225 MHz, SOT-539A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 110V Corriente de Drenaje Continua Id: 88A Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 225MHz |
Precio unitario: 242,277€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
BLF6G21-10G |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 65 V, 10 W, 2.11 GHz, 2.17 GHz, SOT-538 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Disipación de Potencia Pd: 10W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 2.11GHz |
Precio unitario: 23,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
D1008UK |
Transistor FET de RF, 70 V, 10 A, 175 W, 1 MHz, 175 MHz, DK Tensión Drenador-Fuente (Vds): 70V Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Disipación de Potencia Pd: 175W
Otros nombres: MOSFET, D1008UK, Dual, N-Canal-Canal, 10 A, 70 V, 5-Pin, DK TetraFET Fuente común Si.
|
Precio unitario: 72,440€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|||
D1013UK |
Transistor FET de RF, 70 V, 5 A, 50 W, 10 MHz, 500 MHz, DP Tensión Drenador-Fuente (Vds): 70V Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Disipación de Potencia Pd: 50W
Otros nombres: MOSFET, D1013UK, N-Canal-Canal, 5 A, 70 V, 3-Pin, DP TetraFET Simple Si.
|
Precio unitario: 28,301€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |