Amstron Electronics | Transistores FET de RF

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SKU	Nombre de producto	Entrega y precio
D2219UK	`Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 40 V, 2 A, 17.5 W, 1 MHz, 2 GHz, SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Disipación de Potencia Pd: 17.5W Otros nombres: MOSFET, D2219UK, N-Canal-Canal, 2 A, 40 V, 8-Pin, SOIC TetraFET Simple Si.	Precio unitario: 16,956€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16
DE150-501N04A	Fabricado por: `Ixys Rf` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Disipación de Potencia Pd: 200W	Precio unitario: 34,639€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 66
DE275-201N25A	Fabricado por: `Ixys Rf` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 200 V, 25 A, 590 W, 100 MHz, DE-275 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Disipación de Potencia Pd: 590W	Precio unitario: 38,237€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16
DE275-501N16A	Fabricado por: `Ixys Rf` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Disipación de Potencia Pd: 590W	Precio unitario: 36,200€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
DE275X2-102N06A	Fabricado por: `Ixys Rf` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Disipación de Potencia Pd: 1.18kW	Precio unitario: 31,874€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
DE475-102N21A	Fabricado por: `Ixys Rf` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 1 kV, 24 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Disipación de Potencia Pd: 1.8kW	Precio unitario: 30,962€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
DE475-501N44A	Fabricado por: `Ixys Rf` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 500 V, 44 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V Corriente de Drenaje Continua Id: 44A Disipación de Potencia Pd: 1.8kW	Precio unitario: 42,509€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
GA20SICP12-263	Fabricado por: `Genesic Semiconductor` `Transistores FET de RF` SIC CO-PACK, 1.2kV, TO-263 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Disipación de Potencia Pd: 157W	Precio unitario: 47,050€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 29
IXFH12N50F	Fabricado por: `Ixys Rf` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 500 V, 12 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Disipación de Potencia Pd: 180W	Precio unitario: 6,053€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
IXFN55N50F	Fabricado por: `Ixys Rf` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 500 V, 55 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V Corriente de Drenaje Continua Id: 55A Disipación de Potencia Pd: 600W	Precio unitario: 29,216€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
IXZ308N120	Fabricado por: `Ixys Rf` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Disipación de Potencia Pd: 880W	Precio unitario: 52,254€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14
IXZR08N120A	Fabricado por: `Ixys Rf` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 1.2 kV, 8 A, 250 W, ISOPLUS247 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Disipación de Potencia Pd: 250W	Precio unitario: 28,887€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
J111	Fabricado por: `On Semiconductor` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 35 V, 625 mW, TO-92 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 35V Disipación de Potencia Pd: 625mW Encapsulado del Transistor RF: TO-92 Otros nombres: JFET, J111, N-Canal, Único, TO-92, 3-Pines Simple.	Precio unitario: 0,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8595
LET9045F	Fabricado por: `Stmicroelectronics` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Disipación de Potencia Pd: 108W Otros nombres: MOSFET, LET9045F, N-Canal-Canal, 9 A, 80 V, 3-Pin, M250 Simple Si.	Precio unitario: 59,471€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
MMRF1014NT1	Fabricado por: `Nxp` `Transistores FET de RF` Transistor FET de RF, 68 V, 2 GHz, 1 MHz, PLD-1.5 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 68V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 2GHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 1MHz	Precio unitario: 6,684€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1000