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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI3552DV-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 2.5 A, 30 V, 0.085 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 2.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,291€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1940 |
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SI3585CDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 3.9 A, 20 V, 0.048 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: N/P-Ch MOSFET TSOP-6 20V 58/195mohm @ 4..
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Precio unitario: 0,165€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11080 |
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SI3588DV-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 2.5 A, 20 V, 0.064 ohm, 4.5 V, 450 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 2.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,407€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3590DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 2.5 A, 30 V, 0.062 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 2.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,284€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10298 |
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SI3867DV-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.9 A, -20 V, 0.041 ohm, -2.5 V, -1.4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,342€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 46 |
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SI3900DV-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 2 A, 20 V, 0.125 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: TMOSS5804.
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Precio unitario: 0,271€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3932DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.7 A, 30 V, 0.047 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,226€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4993 |
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SI4048DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19.3 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,219€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14124 |
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SI4056DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.1 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI4056DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 11,1 A, 100 V, 8-Pin, SOIC ThunderFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,292€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2812 |
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SI4062DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, N-CH, 60V, 32.1A, 150DEG C, 7.8W Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 32.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 1,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1846 |
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SI4090DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19.7 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI4090DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 20 A, 100 V, 8-Pin, SOIC ThunderFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,560€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4100DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.8 A, 100 V, 0.051 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,469€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1165 |
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SI4102DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.8 A, 100 V, 0.13 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI4102DY-T1-GE3, N-Canal, 2,7 A, 100 V, 8-Pin, SOIC.
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Precio unitario: 0,366€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4103DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,233€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4834 |
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SI4128DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.9 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4128DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 7,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si, MOSFET, SI4128DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 7.5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,296€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 823 |