Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores
Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
SI4134DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 30 V, 0.0115 ohm, 10 V, 1.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4134DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 9,9 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,248€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6133 |
|
|
SI4136DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 46 A, 20 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 46A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET Transistor, N Channel, 46 A, 20 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1 V 15R4967.
|
|
Precio unitario: 0,741€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9541 |
|
|
SI4154DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 36 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 36A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: N-Ch MOSFET SO-8 BWL 40V 3.3mohm @10V -.
|
|
Precio unitario: 0,568€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1677 |
|
|
SI4162DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19.3 A, 30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4162DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 13,6 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si, MOSFET, SI4162DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 13.6 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2762 |
|
|
SI4164DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4164DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,526€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2465 |
|
|
SI4166DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30.5 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOSP11089.
|
|
Precio unitario: 0,314€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4634 |
|
|
SI4174DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13,5A; 3,2W; SO8.
|
|
Precio unitario: 0,284€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2420 |
|
|
SI4178DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4178DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,252€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3157 |
|
|
SI4186DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 35.8V, 35.8A Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 35.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI4186DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 36 A, 20 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,535€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
|
|
SI4190ADY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18.4 A, 100 V, 0.0073 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI4190ADY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 18 A, 100 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
|
|
Precio unitario: 0,760€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2127 |
|
|
SI4202DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12,1A; Idm: 50A; 2,6W; SO8 |
- |
Precio unitario: 0,485€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SI4214DDY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8.5 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4214DDY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 7,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si, MOSFET, SI4214DDY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 7.5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
|
|
Precio unitario: 0,288€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SI4286DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 7 A, 40 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI4286DY-T1-GE3 Dual, N-Canal, 7 A, 40 V, 8-Pin, SOIC.
|
|
Precio unitario: 0,328€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9283 |
|
|
SI4288DY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 9.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
|
Precio unitario: 0,494€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2430 |
|
|
SI4378DY-T1-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 20 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
|
Precio unitario: 1,319€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12 |