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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIRA28BDP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 38 A, 30 V, 0.0061 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,141€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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SIRA50DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 860 µohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,619€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA52ADP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 131 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 131A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,461€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIRA58ADP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 109 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 109A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,384€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIRA60DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 30 V, 780 µohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,523€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 303 |
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SIRA62DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 30 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS3167.
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Precio unitario: 0,473€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA80DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 30 V, 0.00047 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,633€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA84BDP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 70 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 70A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIRA84DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,169€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA88DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 45.5 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 45.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIRA88DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 45,5 A, 30 V, 8-Pin, SO TrenchFET Simple.
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Precio unitario: 0,124€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA90DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 30 V, 650 µohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS6035.
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Precio unitario: 0,473€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA90DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 30 V, 650 µohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIRA90DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 100 A, 30 V, 8-Pin, SO TrenchFET Simple.
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Precio unitario: 0,577€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA96DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 30 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIRA99DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -195 A, -30 V, 0.0013 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -195A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SIRA99DP-T1-GE3, P-Canal, 195 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple.
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Precio unitario: 1,359€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIRC04DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.00205 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,597€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6050 |