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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIRC06DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SIRC06DP-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 60 A, 30 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,302€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6050 |
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SIRC10DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,352€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5952 |
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SIRC18DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 30 V, 850 µohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,474€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 48 |
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SIS108DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 80 V, 0.028 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SIS108DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 16 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple.
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Precio unitario: 0,302€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIS110DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14.2 A, 100 V, 0.045 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,193€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5950 |
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SIS126DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 45.1 A, 80 V, 0.0085 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 45.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SIS126DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 45.1 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple.
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Precio unitario: 0,356€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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SIS128LDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33.7 A, 80 V, 0.013 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,360€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS184DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 65.3 A, 60 V, 0.0047 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 65.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOS6473.
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Precio unitario: 0,525€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3434 |
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SIS322DNT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS402DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,655€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS407ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -18 A, -20 V, 0.0073 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: P-Ch PowerPAK1212 Cu 20V 9 mohm@4.5V.
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Precio unitario: 0,305€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS407DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -25A; Idm: -40A; 21W
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -25 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -400 mV.
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Precio unitario: 0,538€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS410DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 20 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,381€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1476 |
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SIS413DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -18 A, -30 V, 0.0076 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: P-Ch PowerPAK1212 Cu 30V 9.4mohm@10V.
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Precio unitario: 0,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS414DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,226€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6886 |