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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIS434DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 40 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: N CHANNEL MOSFET, 40V, 35A.
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Precio unitario: 0,349€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3159 |
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SIS454DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 20 V, 0.003 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,318€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2972 |
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SIS468DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 80 V, 0.016 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SIS468DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 ThunderFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,449€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6741 |
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SIS472BDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 2.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS2975.
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Precio unitario: 0,167€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6045 |
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SIS606BDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35.3 A, 100 V, 0.0145 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,526€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS862ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 52 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 52A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SIS862ADN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 52 A, 60 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple.
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Precio unitario: 0,345€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS862DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 60 V, 0.007 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOSP11560.
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Precio unitario: 0,409€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS890DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 100 V, 0.0195 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,500€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18032 |
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SIS892ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 28 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SIS892ADN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 28 A, 100 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple Si.
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Precio unitario: 0,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13806 |
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SIS903DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -6 A, -20 V, 0.0167 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 1,426€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5995 |
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SIS932EDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6 A, 30 V, 0.018 ohm, 4.5 V, 1.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SISA01DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,288€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4589 |
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SISA04DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SISA04DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,449€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 367 |
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SISA18ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,184€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2475 |
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SISA24DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 25 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V
Otros nombres: STDMOS1206.
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Precio unitario: 0,267€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2861 |