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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SPZT2907AT1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 50 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -60V Frecuencia de Transición ft: 200MHz |
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Precio unitario: 0,092€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 620 |
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SPZT651T1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 60 V, 75 MHz, 800 mW, 2 A, 40 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 60V Frecuencia de Transición ft: 75MHz |
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Precio unitario: 0,280€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 920 |
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SPZTA42T1G |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 300 V, 50 MHz, 1.5 W, 500 mA, 25 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V Frecuencia de Transición ft: 50MHz
Otros nombres: Transistor digital, SPZTA42T1G, NPN 300 V dc SOT-223, 3 + Tab pines, Simple.
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Precio unitario: 0,248€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1934 |
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SQ1421EDH-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,172€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ1421EDH-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -1.6 A, -60 V, 0.23 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V |
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Precio unitario: 0,127€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4023 |
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SQ1464EEH-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 440 mA, 60 V, 0.8 ohm, 1.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 440mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQ1464EEH-T1_GE3, N-Canal-Canal, 440 mA, 60 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2825 |
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SQ2301ES-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -450 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SQ2301ES-T1-GE3, P-Canal, 2,2 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 SQ Rugged Simple Si.
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Precio unitario: 0,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ2301ES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: AEQC101 Qualified P-CHANNEL 20-V (D-S) 1.
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Precio unitario: 0,116€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4355 |
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SQ2308CES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: AEQC101 Qualified N-CHANNEL 60-V (D-S) 1.
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Precio unitario: 0,158€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14130 |
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SQ2309ES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: AEQC101 Qualified P-CHANNEL 60-V (D-S) 1.
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Precio unitario: 0,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19017 |
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SQ2310ES-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3,5A; 0,6W; SOT23.
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Precio unitario: 0,223€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ2310ES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQ2310ES-T1_GE3, N-Canal-Canal, 6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 SQ Rugged Simple Si.
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Precio unitario: 0,212€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 710 |
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SQ2315ES-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0,67W; SOT23 |
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Precio unitario: 0,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ2318AES-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ2318AES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 40 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1.
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Precio unitario: 0,127€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 158383 |