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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SQ2319ADS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,258€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ2319ADS-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.6 A, -40 V, 0.068 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: TMOS2440.
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Precio unitario: 0,177€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2325 |
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SQ2325ES-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23 |
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Precio unitario: 0,252€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ2337ES-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,258€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 1537 |
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SQ2348ES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,136€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7505 |
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SQ2351ES-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,191€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 2450 |
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SQ2361AEES-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2,8A; Idm: -11A; 0,67W; SOT23 |
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Precio unitario: 0,291€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ2361ES-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2,8A; Idm: -11A; 0,67W; SOT23 |
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Precio unitario: 0,233€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ2361ES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.8 A, -60 V, 0.13 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQ2361ES-T1_GE3, P-Canal, 2,8 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 Simple.
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Precio unitario: 0,163€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 22933 |
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SQ2362ES-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4,3A; Idm: 17A; 1W; SOT23 |
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Precio unitario: 0,211€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ2362ES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: AEQC101 Qualified N-CHANNEL 60-V (D-S) 1.
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Precio unitario: 0,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 39022 |
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SQ2364EES-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,255€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ2364EES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2 A, 60 V, 0.19 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQ2364EES-T1_GE3, N-Canal-Canal, 2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,175€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2760 |
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SQ2389ES-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4,1A; Idm: -16A; 1W; SOT23 |
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Precio unitario: 0,252€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ2389ES-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 4.1 A, 40 V, 94 mohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: AEQC101 Qualified P-CHANNEL 40-V (D-S) 1.
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Precio unitario: 0,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 52475 |