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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SQ3419EV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -6,9A; Idm: -27A |
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Precio unitario: 0,252€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ3419EV-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6.9 A, -40 V, 0.048 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, SQ3419EV-T1_GE3, P-Canal, 7,4 A, 40 V, 6-Pin, TSOP SQ Rugged Simple Si.
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Precio unitario: 0,177€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2990 |
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SQ3427AEEV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5,3A; Idm: -21A |
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Precio unitario: 0,349€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ3427AEEV-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.3 A, -60 V, 0.079 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: TMOS2520.
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Precio unitario: 0,229€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13073 |
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SQ3456EV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,162€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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SQ3460EV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,187€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ3461EV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,272€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ3987EV-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -3 A, -30 V, 0.085 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2190 |
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SQ4080EY-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 150 V, 0.07 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,403€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3010 |
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SQ4153EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,786€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 2492 |
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SQ4284EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,883€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ4401EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -17.3 A, -40 V, 0.011 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -17.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, SQ4401EY-T1-GE3, P-Canal, 17 A, 40 V, 8-Pin, SOIC SQ Rugged Simple Si.
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Precio unitario: 1,019€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ4410EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,426€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 169 |
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SQ4850EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6,9A; 6,8W; SO8
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQ4850EY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 60 V, 8-Pin, SOIC SQ Rugged Simple Si.
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Precio unitario: 0,504€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQ4920EY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,374€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |