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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
F3L200R07PE4BOSA1
F3L200R07PE4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.55 V, 680 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Otros nombres: Módulo IGBT, F3L200R07PE4BOSA1, Serie, 200 A, 650 V, N-Canal, ECONO4, 20-Pines.

Precio unitario: 120,280€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4
F3L200R12W2H3B11BPSA1
F3L200R12W2H3B11BPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.55 V, 600 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 71,974€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F3L300R07PE4
F3L300R07PE4

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; diodo/transistor; Inversor de 3 niveles unifase

Precio unitario: 187,210€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 2
F3L300R07PE4BOSA1
F3L300R07PE4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 1.55 V, 940 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 300A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 158,110€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F3L300R07PE4PBOSA1
F3L300R07PE4PBOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 280 A, 1.5 V, 20 mW, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 280A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V

Precio unitario: 169,750€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F3L400R12PT4B26BOSA1
F3L400R12PT4B26BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.75 V, 2.15 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 228,920€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4
F3L50R06W1E3B11BOMA1
F3L50R06W1E3B11BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.45 V, 175 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 33,552€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 38
F3L75R07W2E3B11BOMA1
F3L75R07W2E3B11BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, EasyPACK 2B, Canal N, 75 A, 1.45 V, 250 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Otros nombres: Módulo IGBT, F3L75R07W2E3B11BOMA1, N-Canal, 95 A, 650 V, EASY2B, 27-Pines, 1MHZ Serie.

Precio unitario: 38,839€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 7
F4-50R06W1E3
F4-50R06W1E3

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.45 V, 225 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 20,952€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F4-50R12KS4
F4-50R12KS4

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x2; 355W

Precio unitario: 86,136€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F4100R12KS4BOSA1
F4100R12KS4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 130 A, 3.2 V, 660 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 130A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V

Precio unitario: 133,860€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 10
F4150R12KS4BOSA1
F4150R12KS4BOSA1

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x2; 960W

Otros nombres: Módulo IGBT, F4150R12KS4BOSA1, Puente, 180 A, 1.200 V, N-Canal, AG-ECONO3-4, Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 180 A, 3.2 V, 960 W, 1.2 kV, Module.

Precio unitario: 219,450€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F430R06W1E3
F430R06W1E3

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 30 A, 1.55 V, 165 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 17,373€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F450R12KS4B11BOSA1
F450R12KS4B11BOSA1

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x2; 355W

Precio unitario: 86,621€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 9
F450R12KS4BOSA1
F450R12KS4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 70 A, 3.2 V, 355 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 70A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V

Precio unitario: 77,513€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí