Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores

Mostrando 21776 referencias.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
F475R06W1E3
F475R06W1E3

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x2; 275W

- Precio unitario: 29,100€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F475R06W1E3BOMA1
F475R06W1E3BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.45 V, 275 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 28,644€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 72
F475R12KS4BOSA1
F475R12KS4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 3.2 V, 500 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V

Precio unitario: 97,970€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FB30R06W1E3
FB30R06W1E3

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; diodo/transistor; puente unifase de diodo; Ic: 30A

Otros nombres: IGBT2181.

Precio unitario: 27,645€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FC6946010R
FC6946010R

Fabricado por: Panasonic

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 100 mA, 60 V, 6 ohm, 4 V, 1.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 100mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Otros nombres: MOSFET, FC6946010R, Dual, N-Canal-Canal, 100 mA, 60 V, 6-Pin, SSMini6 F3 B FC Aislado Si.

Precio unitario: 0,038€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2559
FCA35N60
FCA35N60

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 600 V, 0.079 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 3,366€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FCA47N60F109
FCA47N60F109

Fabricado por: ON SEMICONDUCTOR

Transistores con canal N THT

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29,7A; 417W; TO3PN

Precio unitario: 6,653€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 9
FCB070N65S3
FCB070N65S3

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 44A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Otros nombres: MOSFET, FCB070N65S3, N-Canal-Canal, 44 A, 650 V, 2 + Tab-Pin, D2PAK Simple.

Precio unitario: 1,795€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3887
FCB11N60
FCB11N60

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 1,348€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FCB20N60
FCB20N60

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Precio unitario: 1,610€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2557
FCB20N60FTM
FCB20N60FTM

Fabricado por: ON SEMICONDUCTOR

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12,5A; 208W; D2PAK

- Precio unitario: 2,115€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FCB20N60TM
FCB20N60TM

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Otros nombres: MOSFET, FCB20N60TM, N-Canal-Canal, 20 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) SuperFET Simple Si.

Precio unitario: 1,601€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 788
FCB290N80
FCB290N80

Fabricado por: ON SEMICONDUCTOR

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 212W; D2PAK

- Precio unitario: 2,144€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FCB36N60NTM
FCB36N60NTM

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 36 A, 600 V, 0.081 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 36A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Otros nombres: MOSFET, FCB36N60NTM, N-Canal-Canal, 36 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) SupreMOS Simple Si.

Precio unitario: 3,463€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3995
FCD360N65S3R0
FCD360N65S3R0

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 650 V, 0.31 ohm, 10 V, 4.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Otros nombres: MOSFET, FCD360N65S3R0, N-Canal-Canal, 10 A, 650 V, 3-Pin, TO-252 Simple.

Precio unitario: 0,481€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2485