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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FP10R12W1T4BOMA1
FP10R12W1T4BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 20 A, 1.85 V, 105 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 20A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Precio unitario: 28,373€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 148
FP10R12W1T4PB11BPSA1
FP10R12W1T4PB11BPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, 10 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

Corriente de Colector DC: 10A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV

Precio unitario: 23,532€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 30
FP10R12W1T4PBPSA1
FP10R12W1T4PBPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, 10 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

Corriente de Colector DC: 10A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV

Precio unitario: 22,882€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FP10R12W1T7B11
FP10R12W1T7B11

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; diodo/transistor; puente trifásico IGBT; Ic: 10A

Precio unitario: 29,100€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FP10R12W1T7B11BOMA1
FP10R12W1T7B11BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, 1.2 kV, Module

Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV Encapsulado del Transistor: Module Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C

Precio unitario: 26,510€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 17
FP150R12KT4BPSA1
FP150R12KT4BPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, 150 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV

Precio unitario: 205,640€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 7
FP150R12KT4PB11BPSA1
FP150R12KT4PB11BPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, 150 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV

Precio unitario: 211,460€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6
FP150R12KT4PBPSA1
FP150R12KT4PBPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, 150 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module

Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV

Precio unitario: 211,460€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6
FP15R06W1E3BOMA1
FP15R06W1E3BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 22 A, 1.55 V, 81 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 22A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 25,492€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 37
FP15R12KE3GBOSA1
FP15R12KE3GBOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.7 V, 105 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Precio unitario: 50,644€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 14
FP15R12KT3BOSA1
FP15R12KT3BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.7 V, 105 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Precio unitario: 48,608€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 21
FP15R12W1T4
FP15R12W1T4

Fabricado por: Infineon Technologies

Módulos IGBT

Puente trifásico IGBT,rectificador de 3-fásico,termistor NTC

Otros nombres: IGBT2052.

Precio unitario: 28,809€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FP15R12W1T4B11BOMA1
FP15R12W1T4B11BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 28 A, 1.85 V, 130 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 28A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Precio unitario: 30,031€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 23
FP15R12W1T4B3
FP15R12W1T4B3

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; diodo/transistor; puente trifásico IGBT; Ic: 15A

Precio unitario: 29,973€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FP15R12W1T4BOMA1
FP15R12W1T4BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 28 A, 1.85 V, 130 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 28A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Precio unitario: 31,651€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 22