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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FMP20N60S1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,541€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FMP30N60S1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,725€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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FMV20N60S1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,677€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FMV30N60S1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,696€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 401 |
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FMW20N60S1HF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, FMW20N60S1HF, N-Canal, 20 A, 600 V, 3-Pin, TO-247.
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Precio unitario: 3,948€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 86 |
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FMW30N60S1HF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 7,149€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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FMW47N60S1HF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.059 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, FMW47N60S1HF, N-Canal, 47 A, 600 V, 3-Pin, TO-247.
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Precio unitario: 11,495€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FMW79N60S1HF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 68 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 68A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, FMW79N60S1HF, N-Canal, 68 A, 600 V, 3-Pin, TO-247.
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Precio unitario: 11,359€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FMY1AT148 |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SC-74A Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 300mW
Otros nombres: Transistor, FMY1AT148, NPN + PNP 150 (NPN) mA, 150 (PNP) mA 50 Dual SOT-25, 5 pines, 100 MHz, Emisor común, Transistor, FMY1AT148, NPN + PNP 150 (NPN) mA, 150 (PNP) mA 50 HFE:120 Dual SOT-25, 5 pines, 100 MHz,.
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Precio unitario: 0,073€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FNB41060 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 10 A, 1.5 V, 32 W, 600 V, SPM26-AAA Polaridad de Transistor: NPN Corriente de Colector DC: 10A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V
Otros nombres: IC: driver; puente trifásico IGBT,termistor NTC; Motion SPM® 45.
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Precio unitario: 6,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP06R12W1T4B3 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; diodo/transistor; puente trifásico IGBT; Ic: 6A |
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Precio unitario: 25,123€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 19 |
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FP100R06KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 101,850€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP100R12KT4B11 |
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Fabricado por:
Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; 515W |
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Precio unitario: 168,780€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP100R12KT4B11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 136,770€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9 |
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FP100R12KT4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 144,530€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14 |