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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FQD13N10TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, FQD13N10TM, N-Canal-Canal, 10 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,202€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1564 |
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FQD16N25CTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 250 V, 0.22 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: MOSFET, FQD16N25CTM, N-Canal-Canal, 16 A, 250 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 271 |
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FQD17P06TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, FQD17P06TM, P-Canal, 12 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si.
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Precio unitario: 0,270€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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FQD18N20V2TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 200 V, 0.14 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: Transistor digital, FQD18N20V2TM, DPAK, 2 + Tab pines.
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Precio unitario: 0,473€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1683 |
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FQD19N10LTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15.6 A, 100 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, FQD19N10LTM, N-Canal-Canal, 15,6 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si, MOSFET, FQD19N10LTM, N-Canal-Canal, 15.6 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,291€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1426 |
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FQD19N10TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15.6 A, 100 V, 0.078 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, FQD19N10TM, N-Canal-Canal, 15,6 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si, MOSFET, FQD19N10TM, N-Canal-Canal, 15.6 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,269€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 58 |
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FQD1N60CTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1 A, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, FQD1N60CTM, N-Canal-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,224€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2100 |
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FQD1N80TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: MOSFET, FQD1N80TM, N-Canal-Canal, 1 A, 800 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,281€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1150 |
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FQD20N06TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, FQD20N06TM, N-Canal-Canal, 17 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,292€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7312 |
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FQD2N100TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV
Otros nombres: MOSFET, FQD2N100TM, N-Canal-Canal, 1,6 A, 1.000 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si, MOSFET, FQD2N100TM, N-Canal-Canal, 1.6 A, 1000 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,378€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQD2N60CTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,306€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 385 |
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FQD2N90TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 900 V, 5.6 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V |
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Precio unitario: 0,382€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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FQD2P40TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -1.56 A, -400 V, 5 ohm, -10 V, -5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1.56A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -400V |
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Precio unitario: 0,317€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1835 |
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FQD30N06LTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 60 V, 0.039 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,323€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQD3N60CTM-WS |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.4 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,315€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |