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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FQD3P50TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.1 A, -500 V, 3.9 ohm, -10 V, -5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -500V
Otros nombres: MOSFET, FQD3P50TM, P-Canal, 1,33 A, 500 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,419€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 710 |
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FQD4P25TM-WS |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.1 A, -250 V, 1.63 ohm, -10 V, -5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -250V |
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Precio unitario: 0,265€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQD4P40TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.7 A, -400 V, 2.44 ohm, -10 V, -5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -400V |
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Precio unitario: 0,409€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 137 |
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FQD5N20LTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.8 A, 200 V, 0.94 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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FQD5N60CTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, FQD5N60CTM, N-Canal-Canal, 2,8 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,332€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 472 |
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FQD5P10TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.6 A, -100 V, 0.82 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: MOSFET, FQD5P10TM, P-Canal, 2,3 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,185€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 433 |
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FQD5P20TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -3.7 A, -200 V, 1.1 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2,34A; 45W; DPAK.
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Precio unitario: 0,223€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1440 |
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FQD6N40CTM |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2,7A; 48W; DPAK
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 4.5 A, 400 V, 0.83 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 0,311€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 1481 |
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FQD7N10LTM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.8 A, 100 V, 0.275 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, FQD7N10LTM, N-Canal-Canal, 5,8 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si, MOSFET, FQD7N10LTM, N-Canal-Canal, 5.8 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,193€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2144 |
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FQD7P06TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.4 A, -60 V, 0.36 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, FQD7P06TM, P-Canal, 5,4 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si, MOSFET, FQD7P06TM, P-Canal, 5.4 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si.
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Precio unitario: 0,150€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2866 |
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FQD7P20TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.7 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V
Otros nombres: MOSFET, FQD7P20TM, P-Canal, 5,7 A, 200 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si, MOSFET, FQD7P20TM, P-Canal, 5.7 A, 200 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si.
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Precio unitario: 0,281€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1501 |
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FQD8P10TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6.6 A, -100 V, 0.41 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: MOSFET, FQD8P10TM, P-Canal, 6,6 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si, MOSFET, FQD8P10TM, P-Canal, 6.6 A, 100 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Simple Si.
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Precio unitario: 0,206€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 469 |
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FQD9N25TM |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7.4 A, 250 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
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Precio unitario: 0,342€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 907 |
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FQH8N100C |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 1 kV, 1.2 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1kV |
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Precio unitario: 1,627€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 136 |
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FQN1N50CTA |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 380 mA, 500 V, 4.6 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 380mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, FQN1N50CTA, N-Canal-Canal, 380 mA, 500 V, 3-Pin, TO-92 QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,158€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 186 |