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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FQT4N25TF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 830 mA, 250 V, 1.38 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 830mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: MOSFET, FQT4N25TF, N-Canal-Canal, 830 mA, 250 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,165€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3236 |
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FQT5P10TF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -1 A, -100 V, 0.82 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: MOSFET, FQT5P10TF, P-Canal, 1 A, 100 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,197€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 457 |
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FQT7N10LTF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 100 V, 0.275 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, FQT7N10LTF, N-Canal-Canal, 1,7 A, 100 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 QFET Simple Si, MOSFET, FQT7N10LTF, N-Canal-Canal, 1.7 A, 100 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,133€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQT7N10TF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 100 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, FQT7N10TF, N-Canal-Canal, 1,7 A, 100 V, 3 + Tab-Pin, SOT-223 QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,136€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 744 |
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FQU11P06TU. |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -9.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V |
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Precio unitario: 0,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3911 |
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FQU13N06LTU |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, FQU13N06LTU, N-Canal-Canal, 11 A, 60 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,214€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4047 |
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FQU13N10LTU |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, FQU13N10LTU, N-Canal-Canal, 10 A, 100 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) QFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,272€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 712 |
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FQU17P06TU |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: MOSFET, FQU17P06TU, P-Canal, 12 A, 60 V, 3-Pin, IPAK (TO-251) Simple Si.
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Precio unitario: 0,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5505 |
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FQU1N60CTU |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET N-Channel 600V 1A IPAK, MOSFET, FQU1N60CTU, N-Canal, 1 A, 600 V, 3-Pin, IPAK (TO-251).
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Precio unitario: 0,218€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FQU20N06LTU |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 279 |
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FS100R06KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 89,609€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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FS100R12KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 140 A, 1.7 V, 480 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 140A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 128,040€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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FS100R12KT3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.7 V, 480 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 122,220€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FS100R12KT4GB11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 118,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FS100R12KT4GBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS100R12KT4GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, AG-ECONO3-4 Trifásico.
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Precio unitario: 117,370€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 65 |