Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores
Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
FS100R12W2T7B11 |
|
Fabricado por:
|
- |
Precio unitario: 79,346€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS100R12W2T7B11BOMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 1.2 kV, Module Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV Encapsulado del Transistor: Module Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C |
|
Precio unitario: 62,313€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 24 |
|
|
FS100R17KE3BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 145 A, 2 V, 555 W, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 145A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
|
Precio unitario: 134,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS100R17N3E4BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.95 V, 600 W, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
|
Precio unitario: 142,590€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
|
|
FS10R06VE3B2BOMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 16 A, 1.55 V, 50 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 16A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS10R06VE3B2BOMA1, N-Canal, 16 A, 600 V, EASY750, 15-Pines, 1MHZ Trifásico.
|
|
Precio unitario: 13,793€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 64 |
|
|
FS10R12VT3 |
|
Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT; 64W |
|
Precio unitario: 12,610€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS150R06KE3BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.45 V, 430 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
|
Precio unitario: 122,500€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS150R12KE3BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS150R12KE3BOSA1, N-Canal, 200 A, 1.200 V, AG-ECONO3-4 Trifásico.
|
|
Precio unitario: 160,050€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 20 |
|
|
FS150R12KT3BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
|
Precio unitario: 152,290€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 17 |
|
|
FS150R12KT4 |
|
Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT; 750W |
|
Precio unitario: 179,450€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS150R12KT4B11BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
|
Precio unitario: 145,500€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS150R12KT4B9BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Zanja/Límite de Campo, Canal N, 150 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
|
Precio unitario: 166,840€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
|
|
FS150R12KT4BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 175 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS150R12KT4BOSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, EconoPACK 3, 35-Pines Trifásico.
|
|
Precio unitario: 153,260€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 21 |
|
|
FS150R12PT4 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 680 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: IGBT2306.
|
|
Precio unitario: 140,650€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FS150R17PE4 |
|
Fabricado por:
Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT
Otros nombres: IGBT2312.
|
|
Precio unitario: 228,920€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |