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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 VDC, 294 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40VDC Disipación de Potencia Pd: 294W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 136MHz

Precio unitario: 6,790€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 99
AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30VDC Disipación de Potencia Pd: 114W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 136MHz

Precio unitario: 1,950€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 377
AFT09MS015NT1
AFT09MS015NT1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 VDC, 125 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40VDC Disipación de Potencia Pd: 125W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 136MHz

Precio unitario: 2,803€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 696
AFT09MS031GNR1
AFT09MS031GNR1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 317 W, 764 MHz, 941 MHz, TO-270

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Disipación de Potencia Pd: 317W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 764MHz

Otros nombres: RF FET, 40V, 150DEG C, 317W.

Precio unitario: 8,119€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 500
AFT09MS031NR1
AFT09MS031NR1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor RF FET, 40 VDC, 31 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Disipación de Potencia Pd: 317W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 764MHz

Precio unitario: 8,711€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 461
AFT20S015GNR1
AFT20S015GNR1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 65 V, 11 W, 1805 MHz, 2700 MHz, TO-270

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Disipación de Potencia Pd: 11W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1805MHz

Precio unitario: 17,858€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 500
AFT27S006NT1
AFT27S006NT1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 3700MHz

Precio unitario: 4,773€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 458
AFT27S010NT1
AFT27S010NT1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 3600MHz

Precio unitario: 8,255€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 988
AFT31150NR5
AFT31150NR5

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, LDMOS, 65 VDC, 741 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, OM-780

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65VDC Disipación de Potencia Pd: 741W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 2.7GHz

Precio unitario: 148,410€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 30
AFV10700HR5
AFV10700HR5

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780H

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 105VDC Disipación de Potencia Pd: 526W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.03GHz

Precio unitario: 350,170€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
AFV10700HSR5
AFV10700HSR5

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780S

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 105VDC Disipación de Potencia Pd: 526W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.03GHz

Precio unitario: 351,140€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
AIGW40N65F5XKSA1
AIGW40N65F5XKSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 74A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 250W

Otros nombres: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; Serie: F5.

Precio unitario: 3,056€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
AIGW40N65H5XKSA1
AIGW40N65H5XKSA1

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Transistores IGBT THT

Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; Serie: H5

Otros nombres: Transistor Único IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pines.

Precio unitario: 3,395€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
AIGW50N65F5XKSA1
AIGW50N65F5XKSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.66V Disipación de Potencia Pd: 270W

Otros nombres: Transistor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; Serie: F5.

Precio unitario: 3,211€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 224
AIGW50N65H5XKSA1
AIGW50N65H5XKSA1

Fabricado por: Infineon

Transistores IGBT Simples

Transistor Único IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pines

Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.66V Disipación de Potencia Pd: 270W

Otros nombres: Transistor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; Serie: H5.

Precio unitario: 3,211€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 240