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SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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AFT05MS031NR1 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 40 VDC, 294 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40VDC Disipación de Potencia Pd: 294W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 136MHz |
Precio unitario: 6,790€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 99 |
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AFT09MS007NT1 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30VDC Disipación de Potencia Pd: 114W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 136MHz |
Precio unitario: 1,950€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 377 |
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AFT09MS015NT1 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 40 VDC, 125 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40VDC Disipación de Potencia Pd: 125W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 136MHz |
Precio unitario: 2,803€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 696 |
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AFT09MS031GNR1 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 40 V, 317 W, 764 MHz, 941 MHz, TO-270 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Disipación de Potencia Pd: 317W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 764MHz
Otros nombres: RF FET, 40V, 150DEG C, 317W.
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Precio unitario: 8,119€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 500 |
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AFT09MS031NR1 |
Fabricado por:
Transistor RF FET, 40 VDC, 31 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Disipación de Potencia Pd: 317W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 764MHz |
Precio unitario: 8,711€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 461 |
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AFT20S015GNR1 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 65 V, 11 W, 1805 MHz, 2700 MHz, TO-270 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Disipación de Potencia Pd: 11W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1805MHz |
Precio unitario: 17,858€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 500 |
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AFT27S006NT1 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 3700MHz |
Precio unitario: 4,773€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 458 |
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AFT27S010NT1 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 728MHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 3600MHz |
Precio unitario: 8,255€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 988 |
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AFT31150NR5 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, LDMOS, 65 VDC, 741 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, OM-780 Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65VDC Disipación de Potencia Pd: 741W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 2.7GHz |
Precio unitario: 148,410€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
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AFV10700HR5 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780H Tensión Drenador-Fuente (Vds): 105VDC Disipación de Potencia Pd: 526W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.03GHz |
Precio unitario: 350,170€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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AFV10700HSR5 |
Fabricado por:
Transistor FET de RF, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780S Tensión Drenador-Fuente (Vds): 105VDC Disipación de Potencia Pd: 526W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.03GHz |
Precio unitario: 351,140€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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AIGW40N65F5XKSA1 |
Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 74A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 250W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; Serie: F5.
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Precio unitario: 3,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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AIGW40N65H5XKSA1 |
Fabricado por:
Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; Serie: H5
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 3,395€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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AIGW50N65F5XKSA1 |
Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.66V Disipación de Potencia Pd: 270W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; Serie: F5.
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Precio unitario: 3,211€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 224 |
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AIGW50N65H5XKSA1 |
Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.66V Disipación de Potencia Pd: 270W
Otros nombres: Transistor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; Serie: H5.
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Precio unitario: 3,211€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 240 |