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Mostrando 362 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FF600R07ME4B11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 700 A, 1.55 V, 1.8 kW, 650 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 700A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V |
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Precio unitario: 132,300€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF600R12IE4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.75 V, 3.35 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 351,140€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF600R12KE4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Zanja/Límite de Campo, Canal N, 600 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 154,230€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 21 |
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FF600R12KE4EBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 600 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 148,410€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13 |
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FF600R12ME4AB11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 950 A, 1.75 V, 3.35 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 950A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 242,500€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF600R12ME4B11BPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 194€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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FF600R12ME4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 995A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 196,800€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF600R12ME4EB11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 600 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 189,120€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
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FF600R12ME4PB11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 201,760€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
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FF600R17ME4B11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 950 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 950A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
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Precio unitario: 256,080€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF600R17ME4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 950 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 950A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
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Precio unitario: 241,530€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF600R17ME4PB11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
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Precio unitario: 263,840€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF650R17IE4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 930A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 402,550€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF650R17IE4D_B2 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 650A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V
Otros nombres: IGBT3215.
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Precio unitario: 485€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FF75R12RT4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 395 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF75R12RT4HOSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, Módulo 34MM, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 42,854€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |