Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores » Arrays y Módulos IGBT
Mostrando 362 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
FF800R17KE3NOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.15 kA, 2 V, 4.45 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.15kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
|
Precio unitario: 706,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
|
|
FF900R12IE4BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FF900R12IE4BOSA1, N-Canal, 900 MHZ, 1.200 V, PrimePACK2, 10-Pines Serie.
|
|
Precio unitario: 434,560€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FF900R12IE4PBOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
|
Precio unitario: 427,770€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
|
|
FF900R12IP4BOSA2 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
|
Precio unitario: 434,560€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FII30-06D |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 30 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, i4-PAC Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.9V
Otros nombres: IGBT, FII30-06D, N-Canal, 30 A, 600 V, ISOPLUS-I4-PAC, 5-Pines 2 Simple.
|
|
Precio unitario: 6,451€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FNB41060 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 10 A, 1.5 V, 32 W, 600 V, SPM26-AAA Polaridad de Transistor: NPN Corriente de Colector DC: 10A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V
Otros nombres: IC: driver; puente trifásico IGBT,termistor NTC; Motion SPM® 45.
|
|
Precio unitario: 6,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FP100R06KE3BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
|
Precio unitario: 101,850€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FP100R12KT4B11BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
|
Precio unitario: 136,770€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9 |
|
|
FP100R12KT4BOSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
|
Precio unitario: 144,530€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14 |
|
|
FP10R12W1T4BOMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 20 A, 1.85 V, 105 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 20A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
|
Precio unitario: 28,373€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 148 |
|
|
FP10R12W1T4PB11BPSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 10 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Corriente de Colector DC: 10A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV |
|
Precio unitario: 23,532€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 30 |
|
|
FP10R12W1T4PBPSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 10 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Corriente de Colector DC: 10A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV |
|
Precio unitario: 22,882€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
FP10R12W1T7B11BOMA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 1.2 kV, Module Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV Encapsulado del Transistor: Module Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C |
|
Precio unitario: 26,510€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 17 |
|
|
FP150R12KT4BPSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 150 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV |
|
Precio unitario: 205,640€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
|
|
FP150R12KT4PB11BPSA1 |
|
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 150 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV |
|
Precio unitario: 211,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |