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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FP25R12W2T4
FP25R12W2T4

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Otros nombres: IGBT2208.

Precio unitario: 41,293€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 13
FP25R12W2T4B11BOMA1
FP25R12W2T4B11BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 39A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Precio unitario: 39,450€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 62
FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 39A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Precio unitario: 40,129€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 25
FP25R12W2T4PB11BPSA1
FP25R12W2T4PB11BPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, 6 Canales N, 25 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: 6 Canales N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Precio unitario: 33,892€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 18
FP25R12W2T4PBPSA1
FP25R12W2T4PBPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, 6 Canales N, 25 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: 6 Canales N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Precio unitario: 32,961€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FP30R06KE3BOSA1
FP30R06KE3BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 37 A, 1.55 V, 125 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 37A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 55,853€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 10
FP30R06W1E3
FP30R06W1E3

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 30 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Otros nombres: IGBT2088.

Precio unitario: 23,532€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 37 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 37A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 29,488€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 16
FP35R12KT4B11BOSA1
FP35R12KT4B11BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Otros nombres: Módulo IGBT, FP35R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, ECONO2, 23-Pines, 1MHZ Trifásico, Módulo IGBT, FP35R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 35 A, 1.200 V, Econo2, 23-Pines, 1MHZ Trifásico.

Precio unitario: 65,553€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 10
FP35R12KT4B15BOSA1
FP35R12KT4B15BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Otros nombres: Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A.

Precio unitario: 67,687€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5
FP35R12KT4BOSA1
FP35R12KT4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Precio unitario: 62,691€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FP35R12W2T4B11BOMA1
FP35R12W2T4B11BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 54 A, 1.85 V, 215 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 54A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Otros nombres: Módulo IGBT, FP35R12W2T4B11BOMA1, N-Canal, 54 A, 1.200 V, EASY2B, 35-Pines, 1MHZ Trifásico.

Precio unitario: 41,438€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 57
FP35R12W2T4BOMA1
FP35R12W2T4BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 54 A, 1.85 V, 215 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 54A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Otros nombres: Módulo IGBT, FP35R12W2T4BOMA1, N-Canal, 54 A, 1.200 V, AG-EASY2B-1 Trifásico.

Precio unitario: 40,585€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 44
FP35R12W2T4PB11BPSA1
FP35R12W2T4PB11BPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, 6 Canales N, 35 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: 6 Canales N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Precio unitario: 35,735€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 16
FP35R12W2T4PBPSA1
FP35R12W2T4PBPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, 6 Canales N, 35 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: 6 Canales N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Precio unitario: 37,646€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí