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Mostrando 362 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FP40R12KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 55 A, 2.3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPIM Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 55A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.3V
Otros nombres: Módulo IGBT, FP40R12KE3BOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, EconoPIM2, 24-Pines Trifásico.
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Precio unitario: 63,234€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 358 |
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FP40R12KE3GBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 55 A, 1.8 V, 210 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 55A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo IGBT, FP40R12KE3GBOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico, Módulo IGBT, FP40R12KE3GBOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico.
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Precio unitario: 81,393€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
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FP40R12KT3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 40 A, 1.8 V, 210 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 40A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 40A.
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Precio unitario: 72,459€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 47 |
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FP40R12KT3GBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 55 A, 1.8 V, 210 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 55A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo IGBT, FP40R12KT3GBOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico.
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Precio unitario: 85,612€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 25 |
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FP50R06KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 60 A, 1.45 V, 190 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 65,068€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8 |
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FP50R06W2E3BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 65 A, 1.45 V, 175 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 65A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 43,320€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9 |
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FP50R12KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 92,005€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19 |
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FP50R12KS4CBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 70 A, 3.2 V, 360 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 70A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V |
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Precio unitario: 125,130€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16 |
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FP50R12KT3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.7 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo: IGBT; diodo/transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A.
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Precio unitario: 90,307€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19 |
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FP50R12KT4B11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, FP50R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, ECONO2, 23-Pines, 1MHZ Trifásico.
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Precio unitario: 85,098€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |
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FP50R12KT4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 84,623€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FP50R12KT4GB15BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 60,965€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 17 |
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FP50R12KT4GBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: NPN Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 82,557€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP50R12KT4PBPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 84,816€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19 |
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FP75R06KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 95 A, 1.45 V, 250 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 95A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 87,232€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4 |