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Mostrando 362 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FP75R12KE3 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 2.3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPIM Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.3V
Otros nombres: IGBT1839.
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Precio unitario: 148,410€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP75R12KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo IGBT, FP75R12KE3BOSA1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, AG-ECONO3-3 Trifásico.
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Precio unitario: 129,010€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FP75R12KT3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 118,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19 |
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FP75R12KT4B11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 123,190€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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FP75R12KT4B15BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 114,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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FP75R12KT4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 114,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9 |
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FP75R12KT4PBPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 112,520€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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FS100R06KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 89,609€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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FS100R12KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 140 A, 1.7 V, 480 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 140A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 128,040€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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FS100R12KT3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.7 V, 480 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 122,220€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FS100R12KT4GB11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 118,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FS100R12KT4GBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, FS100R12KT4GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, AG-ECONO3-4 Trifásico.
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Precio unitario: 117,370€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 65 |
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FS100R12W2T7B11BOMA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, 1.2 kV, Module Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 1.2kV Encapsulado del Transistor: Module Temperatura de Funcionamiento Máx.: 175°C |
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Precio unitario: 62,313€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 24 |
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FS100R17KE3BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 145 A, 2 V, 555 W, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 145A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 134,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FS100R17N3E4BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.95 V, 600 W, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
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Precio unitario: 142,590€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |