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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FS10R06VE3B2BOMA1
FS10R06VE3B2BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 16 A, 1.55 V, 50 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 16A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Otros nombres: Módulo IGBT, FS10R06VE3B2BOMA1, N-Canal, 16 A, 600 V, EASY750, 15-Pines, 1MHZ Trifásico.

Precio unitario: 13,793€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 64
FS150R06KE3BOSA1
FS150R06KE3BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.45 V, 430 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 122,500€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS150R12KE3BOSA1
FS150R12KE3BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Otros nombres: Módulo IGBT, FS150R12KE3BOSA1, N-Canal, 200 A, 1.200 V, AG-ECONO3-4 Trifásico.

Precio unitario: 160,050€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 20
FS150R12KT3BOSA1
FS150R12KT3BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.7 V, 700 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Precio unitario: 152,290€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 17
FS150R12KT4B11BOSA1
FS150R12KT4B11BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 145,500€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS150R12KT4B9BOSA1
FS150R12KT4B9BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Zanja/Límite de Campo, Canal N, 150 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 166,840€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5
FS150R12KT4BOSA1
FS150R12KT4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 175 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Otros nombres: Módulo IGBT, FS150R12KT4BOSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, EconoPACK 3, 35-Pines Trifásico.

Precio unitario: 153,260€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 21
FS150R12PT4
FS150R12PT4

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 680 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Otros nombres: IGBT2306.

Precio unitario: 140,650€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS150R17PE4BOSA1
FS150R17PE4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.95 V, 835 W, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Precio unitario: 197,880€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS15R06VE3B2BOMA1
FS15R06VE3B2BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 22 A, 1.55 V, 65 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 22A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 14,424€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS15R12VT3BOMA1
FS15R12VT3BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 24 A, 1.7 V, 86 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 24A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Otros nombres: Módulo IGBT, FS15R12VT3BOMA1, N-Canal, 24 A, 1.200 V, EASY750, 11-Pines, 1MHZ Trifásico.

Precio unitario: 15,122€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 23
FS200R06KE3BOSA1
FS200R06KE3BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.45 V, 600 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 105,730€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 10
FS200R07N3E4RBOSA1
FS200R07N3E4RBOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.55 V, 600 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 131,920€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 9
FS200R12KT4RB11BOSA1
FS200R12KT4RB11BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 280 A, 1.75 V, 1 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 280A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 173,630€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 17
FS200R12KT4RBOSA1
FS200R12KT4RBOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 280 A, 1.75 V, 1 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 280A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Otros nombres: Módulo IGBT, FS200R12KT4RBOSA1, N-Canal, 280 A, 1.200 V, EconoPACK 3, 35-Pines Trifásico.

Precio unitario: 184,320€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí