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Mostrando 362 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FZ2400R17HP4B29BOSA2 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 2.4 kA, 1.9 V, 15.5 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 2.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.9V |
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Precio unitario: 1,065,060€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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FZ3600R17HP4B2BOSA2 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 3.6 kA, 1.9 V, 19.5 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 3.6kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.9V |
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Precio unitario: 1,487,980€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FZ400R12KE3HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 650 A, 1.7 V, 2.25 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 650A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo IGBT, FZ400R12KE3HOSA1, N-Canal, 650 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 5-Pines, 1MHZ Simple.
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Precio unitario: 88,600€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 31 |
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FZ400R12KE4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 400 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 400A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 84,351€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 31 |
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FZ400R12KS4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 510 A, 3.2 V, 2.5 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 510A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; 2,5kW.
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Precio unitario: 95,933€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FZ400R17KE3HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 620 A, 2 V, 2.25 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 620A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 110,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FZ400R17KE4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 550 A, 1.95 V, 2.5 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 550A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
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Precio unitario: 102,820€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FZ600R12KE3HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; 2,8kW.
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Precio unitario: 117,370€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 17 |
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FZ600R12KE4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 600 A, 1.75 V, 3 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 97,970€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 32 |
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FZ600R12KS4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 700 A, 3.2 V, 3.9 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 700A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V
Otros nombres: Módulo IGBT, FZ600R12KS4HOSA1, N-Canal, 700 A, 1.200 V, AG-62MM-2 Simple.
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Precio unitario: 121,250€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FZ600R17KE3HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 840 A, 2 V, 3.15 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 840A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 147,440€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FZ600R17KE4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 840 A, 1.95 V, 3.35 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 840A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V |
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Precio unitario: 124,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 98 |
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FZ800R12KE3HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 800A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V |
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Precio unitario: 135,800€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FZ900R12KE4HOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 900 A, 1.75 V, 4.3 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 135,800€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GD100HFY120C1S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 155 A, 2 V, 511 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 155A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 30,662€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |